温敏二极管性能的优化研究

从优化设计的需要出发，推导了温敏二极管灵敏度、线性度和串联电阻等电参数的理论公式．采用优化分析法，讨论了影响温敏二极管性能诸多因素的矛盾关系，提出温敏二极管的设计原则及解决相关矛盾的方法．理论分析得到实验结果的有力支持．

正向栅控二极管的 R- G电流直接表征 NMOSFET沟道 pocket或 halo注入区(英文)

使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对正向栅控二极管 R- G电流表征 NMOSFET沟道 pocket或halo注入区进行了详尽的研究 .数值分析表明 :由于栅控正向二极管界面态 R- G电流的特征 ,沟道工程 pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态 R- G电流特征峰的附加特征峰 .该峰的幅度对应于 pocket或 halo区的界面态大小 ,而其峰位置对应于 pocket或 halo区的有效表面浓度 .数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对 pocket或 halo区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对 pocket或 halo区的有效表面浓度变化的敏感性 .根据提出的简单表达式 ,可以用实验得到的 R- G电流的特征直接抽取沟道工程的 pocket或

温敏二极管的优化设计计算

对温度敏感元件提出一种优化设计计算方法，建立了硅温敏二级管的数学模型．在此基础上，用复合形法对硅温敏二级管的结构参数和材料参数进行优化设计计算；用最小二乘法计算了结构参数、材料参数的变化对其主要电学性能参数的影响；并对计算结果进行了分析、讨论．

微波PIN二极管复合介质膜钝化技术的研究

表面钝化是半导体器件制造过程中的重要工艺环节之一,对器件的电学特性和可靠性有重要影响。微波PIN二极管器件的可靠性与钝化技术密不可分,结合高温干氧和等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了微波PIN二极管的复合介质表面钝化膜。通过对膜厚、折射率、表面方块电阻、正向电阻和二极管结电容等参数的测试和分析,对工艺条件进行了优化,获得了致密性好和绝缘强度高的表面钝化膜,提升了微波PIN二极管器件的可靠性和环境适应性。