一种基于遗传算法的Fuzzing测试用例生成新方法

本文根据传统漏洞挖掘Fuzzing技术的特点,针对其存在的不能求解非线性解和只能有单个的输入的问题,提出了一种基于遗传算法的漏洞挖掘测试用例生成的新方法.该方法能够利用遗传算法的优势,同时可以应对多输入测试用例问题和非线性求解问题.从自测程序的结果看出,相比于传统随机生成Fuzzing测试用例的方法,本方案在效率和覆盖率方面具有明显的提高.

热处理对MIM薄膜二极管Ta_2O_5绝缘膜微结构及其IU特性的影响

制备了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的MIM薄膜二极管 ,其中Ta2 O5膜采用溅射 /阳极氧化两步法工艺制成。对绝缘膜进行真空热处理 (一步热处理 )和经真空热处理后再进行大气热处理 (真空 /大气两步热处理 )。用原子力显微镜和透射电子显微镜分析了Ta2 O5膜的微结构 ,测试了MIM薄膜二极管的I U特性曲线。讨论了热处理对Ta2 O5绝缘膜微结构和MIM薄膜二极管I U特性的影响 ,并指出了MIM薄膜二极管I

量子点显示——中国显示行业“换道超车”的曙光

用量子点进行显示具有高性能、低成本等优势.作为一项"颠覆性技术",量子点显示将在显示行业掀起一场技术革命,为我国显示产业突破国外技术和专利封锁,占据产业科技制高点,实现"换道超车"提供了良好的契机.主要介绍了量子点发光显示关键材料与器件研究的相关进展,以及其在中国显示行业的应用现状与前景.

基于智能推荐的学习空间大数据处理技术架构设计研究（英文）

为了满足高校网络学习空间个性化的需求,提出了一种大型网络教学平台架构的设计方案。针对重点关注系统的开放性、智慧性、立体性、社会性、整合性等部分的设计,提出开放式学习资源的采集,开放式学习资源的智能组织、智能推荐等核心子架构的相关实现技术与体系,并在现有开源软件系统的基础上搭建了一个低成本、高可用、高并发、高可扩的通用架构。

一种支持多领域构件描述的分类描述模型

软件构件库是支持基于构件的软件开发的基础设施.在软件构件库中,构件的分类描述是复用者检索和理解构件的基础.随着构件技术的发展,构件库在不同领域的得到了应用,构件分类描述机制也面临着扩展性和变化性的挑战.提出了支持多领域构件描述的分类描述模型ECDM,并基于该模型,实现了青鸟构件库管理系统中多种分类模式的定制以及对构件描述属性扩展的支持.

测试软件自动生成技术的研究

软件自动化是提高软件质量、可靠性与软件生产力的一种行之有效的方法和技术。为了减少测试成本,提高测试软件的利用率,有必要对测试软件自动生成技术进行研究。采用面向对象的程序设计方法,使软件具有可构造性、可扩充性和可重用性。通过对测试软件自动生成的可行性分析,提出分布式生成原理,把目标软件按组成类生成。按照面向对象的思想,研究了类源程序的自动生成原理和主程序的自动生成原理。

MIM薄膜二极管Ta_2O_5绝缘膜的AFM分析及其I-V特性研究

制备了一种用于有源矩阵液晶显示的Ｔａ－Ｔａ２Ｏ５－Ｔａ 结构ＭＩＭ 薄膜二极管。其中，作为介质层的Ｔａ２Ｏ５ 膜由不同成膜技术得到。采用原子力显微镜（ＡＦＭ）对Ｔａ２Ｏ５ 膜进行了表面形貌分析，并对其ＭＩＭ 二极管的伏安特性进行了测试与比较。结果表明，用溅射／阳极氧化二步法制备的Ｔａ２Ｏ５ 膜作绝缘层的ＭＩＭ 二极管，其Ｉ－Ｖ特性的非线性系数β＝ ２５，远高于阳极氧化法及溅射法所得Ｔａ２Ｏ５ 膜的ＭＩＭ 二极管的非线性系数（β＝ ９和５），电流通断比（１０５）分别较阳极氧化法及溅射法工艺制备的ＭＩＭ－ＴＦＤ高１和３ 个数量级。

雷达数据处理软件可靠性技术

为提高雷达数据处理系统的软件可靠性,从介绍常用软件可靠性技术着手,选择软件避错和容错设计方法进行分析。针对雷达嵌入式数据处理系统,给出了可以实现避错、容错的软件设计方法。工程应用表明,该设计具有可靠性效果。

纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象

利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（＜１００Ｋ）在其σＶ、ＩＶ及ＣＶ特性曲线上呈现出共振隧穿峰、库仑台阶和量子振荡现象。说明，对无序分布着的量子点阵列，只要其粒子尺寸足够小，同样会发生量子功能作用。估计了在室温范围呈现出这种量子功能作用的可能性。

ZnO/C8-BTBT异质结的载流子注入特性研究

量子点电致发光器件(QLED)中的发光层由钙钛矿量子点构成。由于量子点较深的价带能级,空穴载流子注入效率相对较低,往往成为制约器件性能的重要因素。采用p-型有机半导体,2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为发光层主体材料,与量子点构成的主客体复合薄膜,被证明是一种有效的解决方法,而研究和调控载流子向这类有机主体材料的注入特性是提高这类QLED器件性能的关键。采用场效应薄膜晶体管和单载流子叠层器件结构表征了ZnO/C8-BTBT异质结的载流子传输特性。实验发现通过引入ZnO/C8-BTBT异质结,一方面可提高器件的空穴注入效率,另一方面有利于实现更平衡的载流子注入特性。

热处理对MIM薄膜二极管中Ta_2O_5膜表面形貌的影响

采用了一种较为新颖的真空热处理和大气气氛下热处理相结合的热处理工艺 ,并应用到两种以反应溅射工艺为基础制备出的多层 Ta2 O5膜样品的后处理上。 AFM结果显示 ,经过真空和大气热处理之后 ,两种 Ta2 O5膜样品的表面平整度均得到了较大改善 ,反映出膜内部结构的致密性也得到了较大提高 ,这将一定程度改善以该膜为绝缘层的 MIM- TFD的漏电流和耐击穿电压等电性能。此外 ,其中的大气热处理工艺所需要的设备和操作程序非常简单 ,成本较低 ,这也为 MIM-

Tips-PEN薄膜载流子迁移率的稳态SCLC与阻抗谱法测量的研究

利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V·s)和0.002 4(cm/V)1/2;阻抗谱法测试的器件Tips-PEN厚度为827nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V·s)和0.003 47(cm/V)1/2。稳态SCLC法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态SCLC需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度。这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致。

自组装p-n异质膜的I-V特性研究

以p型导电高分子烷基聚噻吩(PAT-6)和n型导电高分子聚喹啉(PQ)共混液为原料通过浇注方式自组装形成组成梯度膜,即形成p-n异质膜,并对该异质膜I-V特性进行测定。

MD5加密算法改进及其特征码在杀毒软件中的应用

文章分析了MD5算法发展、危机、碰撞分析并加入"盐值"对算法做了改进,然后给出了其C++的具体实现算法;分析MD5特征码的特点构建了特征库配置文件,用VC实现了基于特征码的杀毒软件,此软件能根据文件特征码(MD5值)成功删除可疑文件。

电致发光有机薄膜中载流子的输运

研究电致发光有机薄膜中载流子的输运过程 ,迁移率是描述输运过程的关键物理量 .根据载流子在格点间跳跃 ( hopping)输运理论 ,提出了一个有机薄膜中载流子输运的理论模型 ,推导出了迁移率的理论公式 ,以聚对苯乙炔 ( poly( p-phenylene vinylene) )为例 ,数值计算了其在不同温度和电场下的迁移率 ,与实验符合得很好 .

模型驱动的EJB构件测试建模研究

基于对Web系统的特点研究,提出了一个全面测试Web系统的框架.并基于模型驱动的软件测试思想(MDT),重点研究了此框架中的中间业务逻辑层的测试建模方法:定义了一个平台相关的测试模型(PSTM)——EJB构件测试模型;并给出了对它的模型复原算法和模型一致性检测方法.该测试建模方法,从软件构件的层次,实现了EJB静态结构和动态行为的建模,并通过模型一致性检测实现EJB代码的潜在缺陷检查.这一测试模型将为测试用例和测试数据的生成提供有力的支持.

循环冗余校验在单片机无线通信中的应用

本文介绍了循环冗余码(CRC码)校验的原理和计算方法,分析两种查表冗余校验快速算法,提出新型分段查表法,良好地解决以单片机为核心的湿度测控系统无线数据传输差错控制的实时性和小存储量的要求。

具有多通道可重构数字下变频系统

为了实现多波段多模式下的信号接收,提出了具有多通道可重构数字下变频系统。运用System Generator搭建单通道系统,同时选用Virtex6 ML605目标板来硬件实现。中频信号经过DDS混频之后得到差频信号,分别通过50倍和5倍降频、半带滤波器得到两路低频信号。将两路通道作为可重构配置文件,通过配置不同的配置文件来实现虚拟可重构的多通道数字下变频系统。可重构系统可较大程度提高资源利用率。

JMS信息发布异构平台应用研究

有效结合JMS技术与XML技术,提出了基于JMS的信息发布平台的系统分析和设计,并给出了具体实现方法,构建了一个基于JMS的跨平台消息发布平台,应用效果良好,具有重要的实际应用价值。

用于3D-ROM的Si薄膜二极管技术

3D-ROM存储器 在当今世界,微电子技术是发展最为迅猛的一门科学。微电子技术发展的目标是不断提高集成系统的性能和性能价格比,因此便要求提高芯片的集成度,降低成本。这是不断缩小半导体器件特征尺寸的动力源泉。Intel公司创始人之一的Gordon E.Moore 1965年预言,微电子器件的集成度每隔三年就会增加4倍。近四十年来微电子的发展状况证实了摩尔定律的准确性。