AlGaInP基薄膜发光二极管芯片生产工艺技术

介绍公司研发和生产AlGaInP薄膜RS系列LED芯片产品产业化技术现状。通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性。其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd,Au-To封装后器件光通量可达3.5lm。针对RS-LED芯片生产工艺的特点,探讨了产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法,并付诸实践。