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介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性
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作者 洪垣 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2001年第2期109-112,共4页
对硅厚膜 BESOI介质隔离横向高压 p- i- n器件的击穿特性作了分析 ,并用计算机进行了模拟 ,从器件的几何图形和隔离偏压方面 ,提出了改善击穿特性的方法 .
关键词 高压p-i-n器件 介质隔离 厚膜BESOI 击穿电压 功率集成电路 几何图形 隔离偏压
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