新型亚纳秒切断半导体开关器件研制

介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。

开关管电压浪涌的产生机理分析

在一些功率变换器中，由于寄生电感和寄生电容的存在，使得功率变换器中的开关管在工作过程中，产生较大的电压浪涌，不仅产生噪声，而且会增加开关管的功率损耗．本文以一种具有PFC功能的单级。隔离式AC－DC功率变换器为例，利用开关管关断时的等效电路模型，分析了功率变换器中的开关管在关断时产生电压浪涌的机理．为提高功率变换器工作的可靠性、降低功率变换器的体积和重量、减小噪声污染，文中给出一种简单有效的的抑制措施．

延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定

分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明:上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值。n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿通长度,浓度则尽量高;n区掺杂浓度越低越好,对激励源要求电流稍高于临界条件即可。

IGBT栅极驱动技术探讨

绝缘栅双极二级管 ( IGBT)作为一种可控开关 ,获得了广泛应用。 IGBT的栅极驱动技术是其应用的一个重要方面。在本文中着重讨论了 IGBT栅极驱动及保护的基本问题 。

基于IW1810的LED开关电源设计

基于IW1810 设计了一款功率为6 W 的LED 开关电源. 电源采用数控技术,利用一次侧反馈,并在准谐振模式下操作,简化了电路结构,降低了成本,提高了稳定性;电源采用多模式的PWM / PFM 控制,大大提高了轻负载的效率和总平均效率. 测试结果表明：输入电压范围为85-265 VAC 时,电源能驱动6 颗LED 正常发光,工作稳定,满足输出电压17 V、电流350 mA、效率≥78%的设计要求.

高功率半导体开关器件DSRD的研究进展

高功率半导体开关器件是一类基于等离子体波理论的全固态、高压、快速打开或者切断电流的开关器件,具有体积小、可靠性高、寿命长、脉冲重复频率高和输出波形稳定等优点,在脉冲开关电路应用中有着独特的优势。简要介绍了超宽带脉冲技术及高功率半导体开关器件的概念,比较了一些常见开关器件与高功率半导体开关器件的差异,主要阐述了自20世纪80年代以来脉冲发生器中开关器件的发展过程,重点介绍了最重要的一种高功率半导体开关器件,即Si基漂移阶跃恢复二极管(DSRD)在国内外的发展历程及其在脉冲技术中的应用。随着新型半导体材料及半导体技术的发展,展望了未来DSRD的发展方向。

脉冲压缩开关DBD研究

延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点。利用此种开关对基于半导体断路开关(sem iconductoropening switches,SOS)开关输出的高重复频率的脉冲波形进行压缩,可制作出高重复频率的超宽带脉冲源。介绍了DBD开关的基本工作原理和研制结果,给出了在相同测试条件下,与国外同类开关的测试结果对比波形,结果表明,研制的DBD开关和国外开关的指标基本相同,其中某些指标优于国外开关水平。

梁氏引线开关二极管用硅外延材料

介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程,通过采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制,解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高阻硅外延材料问题。

单片机在高频开关充电机中的应用

本文介绍了单片机控制的高频开关充电机系统控制部分的电路组成 ,对软件设计和抗干扰措施进行了简要的说明。

相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法

由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。

ZCK二极管工艺条件的优化设计

本文介绍了运用正交试验法于ＺＣＫ系列高速开关二极管的制作，寻找到理想的工艺配方组合，攻克了ＺＣＫ二极管瓷片裂纹的难关，取得了较好的经济效益。

引人注目的新型IGBT:NPT-IGBT

对 8 0年代末出现、90年代迅速发展起来的离子背注入发射区的NPT -IGBT进行简单介绍 ,包括其结构、制造、性能特点和优缺点。

Diodes超速开关二极管提供超低漏电流

Diodes公司新推出的DLLFSD01x开关二极管系列为要求超低漏电流及超速开关的设计人员而设，适用于液晶显示器、便携式电子产品,以及多种电脑和消费性产品。新器件特别适用于高功率效率及低开关损耗的系统。全新DLLFSD01x开关二极管系列配备一般低至5nA的漏电流，能够大幅降低系统功耗并提高能源效益。这些器件具有trr≤4ns的超速开关，可通过降低终端应用的开关损耗米提高效率。此外，约0.5pF的极低总电容使这些开关二极管易於驱动。

频段转换二极管及其应用

介绍频段转换二极管的电特性(正向特性、反向特性、结电容和正向微分电阻)和在彩电电调谐器中的应用。

SiGe开关功率二极管的计算机模拟及优化设计

介绍了新型 Si Ge开关功率二极管结构及机理 ,在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计 ,并对其动态特性进行了模拟。与正反向特性模拟结果综合比较得出 ,取 2 0 %的 Ge含量和 2 0 nm的 Si Ge层厚时 ,器件性能最优。

新型开关二极管

新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压（Breakdown Voltage）外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006—3及DFN20206封装，以供顾客选择。这些单二极管、双二极管和双双（串联及共阴极）二极管配置能发挥多种功能，包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流直流转换，适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。

上期“408UL系统的数据传输及雷击造成的两例故障分析”一文勘误

最近，本刊收到严岗先生来函，指出本刊某文中的错误；经作者查证，同意严岗先生的意见并作更正。对此，本刊与作者深表感谢!现将读者来信全文刊发如下：编辑：您好!看了2011年第三期的《物探装备》，对“408UL系统的数据传输及雷击造成的两例故障分析”一文中，图5里面的Ol、Q2、…、08的元件是错误的。作者画的是m08场效应管，我实查过，应该是双快速开关二极管，markingcode^（A7P或ATW），其中A7是代码，P和W是代表产地香港和中国，元件名称是BAV99，在这里起到限幅信号的作用。元器件错了，整个原理就不对了，特此说明，希望改正。

硅双向触发开关二极管

硅双向触发开关二极管（SIDAC）是近年来推出的一种适用于交流电路的新型电子器件。与人们所熟悉的DB3等双向触发二极管（DIAC）相比，SIDAC具有明显的负阻特性和非常低的导通压降。这种器件不仅击穿电压高，而且能够承受大的浪涌电流。SIDAC可应用于：高强度气体放电灯触发器、氙灯触发器、荧光灯起辉器、天然气点火器、汽油机动车点火器、高电压电源、过电压保护器和脉冲发生器。SIDAC采用玻璃钝化封接技术，具有轴向引出的TO-92、带散热板的TO-202AB、表面安装的DO-214AA和267—03等几种封装形式。

电子入门小制作——二极管篇(3)

七、开关二极管 1.什么是开关二极管 开关二极管是专门用来做开关的一种二极管,它由导通变为截止（既由开到关）或由截止变为导通（既由关到开）所需的时间比一般二极管短。所以,开关二极管主要用于频率比较高的数字脉冲电路和开关电路中。常见的国产开关二极管有2AK、2CK系列玻璃封装二极管,进口开关二极管有1N4148等,其外形如图1所示。