毫米波肖特基势垒混频二极管本征噪声温度测试评价

本文对一些毫米波肖特基势混频二极管本征噪声温度进行了测试和分析。介绍了在常温和致冷下混频二极管本征噪声的测试方法。

三毫米砷化镓梁式引线混频二极管研究

毫米波段介于微波波段和红外波段之间,兼有这两个波段的一些固有特点,其优点是抗干扰能力强、精度高、信息容量大,全天侯能力较强。在射电天文、等离子物理、遥感和国防工程上具有广泛的应用前景。毫米波混频管是毫米波系统中关键的元器件,国内对触须式混频管研究较多,但它的可靠性差,不能应用于实践之中,本文报导了能适合于机、弹、星载上应用的高可靠性三毫米GaAs梁式引线混频管的研究工作。现已研究制出具有介质加强框架的梁式引线混频管样品,初步结果为:在64GHz下,NF=10.4～10.5dB,在37GHz下双边带噪声系数包括中放NF=3.1dB。

硅-硅直接键合制造静电感应器件

静电感应器件(StaticInductionDevice,SID)栅源击穿电压VGK不高一直是该类器件研制中存在的一个问题。用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构——键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGK。通过SITH器件的研制,证明了键合掩埋栅结构能够提高VGK和整个器件的电学性能。

5THz混频二极管等效电路模型研究

采用电磁场和电路联合仿真，基于直流测试和三维电磁建模仿真技术，建立了截止频率5 THz的混频肖特基二极管的等效电路模型。重点研究了二极管的非线性结模型和外围结构三维电磁全波仿真模型，构建了考虑实际电路形式的四端口三维电磁全波仿真模型。该等效电路模型可用于太赫兹低频段混频模块设计，该模型的建立方法也为更高频段模型的建立提供了一种参考。基于该模型设计了一款220 GHz分谐波混频器，在192～230 GHz宽带范围内，双边带变频损耗小于10 dB，测试结果与仿真结果较为一致。

微波晶体检波二极管的计算机辅助定标

阐述了利用驻波法和功率衰减法对微波晶体检波二极管进行定标的理论和方法 ,导出了两种方法的线性回归方程 ,并针对测量线中晶体检波二极管分别采用这两种方法进行定标 ,而对终端检波器中的晶体检波二极管则利用功率衰减法进行了定标 .所有的定标过程均借助 CAT系统自动完成数据的采集与处理 ,从而实现了计算机辅助定标 ,有效地减少了由于手动操作带来的误差 ,提高了测量精度 .

太赫兹共振隧穿二极管探测器研究进展及应用

太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性特性,可以分别实现太赫兹波的产生和探测,近年来获得越来越多的关注。基于RTD的太赫兹探测器具有可室温工作、体积小、易集成、灵敏度高等特点,使其在未来短距离、超高速的太赫兹无线通信及万物互联等场景具备优势。本文将重点介绍太赫兹RTD探测器的研究进展及其应用进展,并对后续技术发展进行展望。

梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计

利用CAD技术找出平面结构梁式引线混频管几何图形最佳尺寸,满足在特定条件下管子总电容和总电阴为最小,以提高截止频率改善器件性能.研制出的混频管在35GHz时双边带噪声系数为4.8dB,接近预期结果.

AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模

基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数。综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度。结果表明,在0.1~10 GHz内,回波损耗相对误差小于4.1%,插入损耗相对误差小于3.7%,验证了所提出模型的可行性和准确性。

3mm梁式引线混频管的设计与研制

依据毫米波梁式引线混频二极管等效电路，优化设计了3mmGaAs梁式引线混频管的几何参数，确定了关系到器件性能的GaAs多层外延材料的最佳浓度、厚度等材料参数，近似采用了触须式二极管概念的一些优点和技术，以降低器件的串联电阻和寄生电容，研制出的3mm梁式引线混频管在89．5GHz时，双边带噪声系数6．1dB，并且在12．5、8、5、4mm波段取得令人满意的结果。

基于玻璃钝化结构的梁式引线肖特基T型对管芯片的研制

基于玻璃钝化结构的梁式引线集成器件机械强度高、寄生参数小,在高频检波、混频电路中有重要应用。通过梯度式腐蚀法获得了V型玻璃槽结构,采用低应力玻璃钝化工艺实现槽内覆盖填充,并结合低势垒蒸发技术实现了高一致性的玻璃钝化结构Si基梁式引线肖特基T型对管芯片的研制。研制的芯片正向压降V_(F)≤350 mV,结电容C_(jo)≤0.1 pF,击穿电压V_(BR)≥4 V,动态电阻R_(D)≤20Ω,电压灵敏度S_(v)≥17 mV/μW,对管芯片的关键电参数偏差小于5%。该技术途径可应用于梁式引线四管堆等多种集成结构形式,可有效促进电路组件的小型化发展。

GaAs梁式引线混频管四管堆

本文报道GaAs梁式引线混频管四管堆的研究结果.以半绝缘GaAs单晶为衬底,以NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒,用二氧化硅和聚酰亚胺两种介质为钝化保护膜而制成的梁式引线混额管四管堆,其零偏结电容为0.05～0.11pF,串联电阻为3～6Ω,分布电容小于0.10pF,4个单管的一致性较好.将该器件分别用于7.5～18GHz和4～8GHz双平衡混频器中,单边带整机噪声系数分别小于6.6dB和5.0dB(不含中放噪声系数1.5dB),本振功率小于10dBm.

微波混频二极管非线性分析中收敛性的讨论

本文对时域稳定过程和频域迭代过程进行了讨论。用第一种方法求出了混频器的输入阻抗,用第二种方法讨论了收敛参量对改进收敛性的影响。

二极管非线性应用中两个问题的简析

二极管非线性应用时,在混频电路中的线性等效网络及在检波电路中输出音频电压的计算。

3毫米GaAs肖特基势垒混频二极管

南京电子器件研究所已研制成3mm GaAs肖特基势垒混频二极管,其使用频率可达100GHz以上。混频管使用频率愈高,要求结电容C_j愈小。本器件C_j设计值为0.007pF(考虑边缘效应)。如此小的结电容必须通过减小势垒结直径来获得,而小的结直径将增加非线性电导固有变频损耗,增大串联电阻。 为降低器件的噪声温度比和变频损耗,提高高频优值,需要获得近乎理想的肖特基势垒,使理想因子n趋近于1,同时最大限度地降低串联电阻Rs,使Rs和C_j的乘积减至最小。因此适当提高GaAs外延层浓度,在满足击穿电压和烧毁的前提下,减薄外延层总厚度,提高外延层浓度的分布陡度以减小串联电阻Rs。

混频二极管及其应用

介绍混频二极管的电特性(正向特性、反向特性和结电容)和应用。

微波集成高频头

介绍了微波集成高频头的组成、工作原理和用途.给出了几种典型的集成耿氏二权管振荡器的设计和计算方法,以及本微波集成高频头的实施电路和计算方法.最后给出了微波集成高频头的实验结果和主要技术参数达到的水平.本微波集成高频头的灵敏度可达10^(-6)dBm,可以用作各种不同作用距离的民用报警器的高频头.

微波二极管筛选项目及机理

本文从分析微波二极管的特点入手,结合航天产品的使用要求,为提高其使用可靠性确定了应做的筛选项目,并对每个项目的筛选机理进行了探讨。对使用微波器件的单位有一定的参考价值。