基于小波变换的雷达生命信号提取方法

雷达非接触式检测生命信号因受环境噪音和被测对象微动等因素影响严重,而且这些干扰引起的多普勒信号的非平稳性,使其有用生命信号———呼吸信号和心跳信号用一般的信号处理方法(如数字滤波、快速傅里叶变换)无法提取出来.针对此问题,建立了连续波雷达生命信号模型,用K波段,频率24GHz,功率30mW的连续波雷达体制对一名30岁左右的健康男性进行了测量.测量在办公室安静环境下进行,雷达发射头距离被测对象2m,数据采集卡采样频率100Hz,对测量数据用dB3小波基函数进行了8尺度小波分解和重构,成功地在第七层低频重构和第六层的高频重构中提取到了人的呼吸信号和心跳信号.通过对这两层信号进行快速傅里叶变换,获得呼吸信号和心跳信号能量峰值处的频率值分别是0.29Hz和1.07Hz,用传统测量方法得到的频率值分别相差0.04Hz和0.03Hz,表明用小波变换提取和分离雷达生命信号中的呼吸信号和心跳信号方法是可行的,为将雷达非接触测量方法应用于临床监护和灾难营救等方面提供了理论依据和实验数据.

基于DSP的频谱分析仪设计

随着计算机和微电子技术的飞速发展,基于数字信号处理的频谱分析已经应用到各个领域并且发挥着重要作用.基于这种情况,利用T I公司性价比很高的数字信号处理芯片TM S320VC 5402设计了一套频谱分析系统.该系统可以对信号进行采集,并进行数据的频域处理,然后直接在普通示波器上显示信号的频谱特性曲线.通过实验测试,该频谱分析系统使用简便直观,只要接到信号源与示波器之间,即可观察信号的频谱.

晶片键合技术及其在垂直腔型器件研制中的应用

叙述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,分析了实现长波长垂直腔型器件的难点。最后介绍了晶片键合技术在长波长垂直腔型器件研制中的应用。

基于FPGA的保密型密码输入器设计

为了改善现有密码输入器容易造成密码泄露的缺点,设计了保密型密码输入器。阐述了保密型密码输入器的工作原理,给出具体设计、计算机仿真。经过实验分析和计算机仿真,该电路能够最大限度地保护用户密码并且容易在工程中应用。

基于SOPC的数字频谱分析仪设计

介绍一种基于SOPC的分析仪原理及硬件结构和软件设计。该系统首先对信号进行采集,并利用DSP技术完成FFT运算,实现对所采集的信号进行频谱分析,最后在LCD上显示信号的频谱特性曲线。

EPP模式的DSP仿真器设计

随着计算机和微电子技术的飞速发展,数字信号处理已经应用到各个领域并且发挥着重要作用,但是在调试应用的时候为了能够实时观察信号,需要进行硬件仿真.基于这种情况设计了一种基于计算机并行接口EPP模式的TI公司DSP仿真器,该系统以边界扫描芯片ACT8990为核心,执行IEEE1149.1协议对DSP片内数据进行读写,并行接口控制模块SMC34C60实现CCS和ACT8990通过计算机并口通信,从而实现CCS通过仿真器对DSP的仿真.

一种DSP系统中液晶显示方法的设计

在以DSP芯片为核心的测量系统中经常采用液晶来显示数据处理结果,由于速度上的差异需要合理设计匹配接口,给出了一种采用单片机89C 2051作为高速DSP与液晶模块间的缓冲接口设计方法.利用异步通信芯片TL 16C 550实现DSP芯片TM S320VC 5402与89C 2051之间串行通信,并由89C 2051对液晶模块进行控制显示.这样既保证了DSP的高速数据处理能力,又简化了液晶显示控制,是一种有效的解决方案.

基于LabVIEW的精密频谱分析系统研究

针对现有频谱分析仪器的缺陷,提出了一种基于LabVIEW平台的精密频谱分析系统。该系统是以计算机为核心,使用先进的数字信号处理器,在LabVIEW平台下,采用VC++编程。该系统性能稳定、扫频速度高,并且具有多种可以灵活选取的分辨率。

硅双结型色敏器件蓝紫响应度的研究与改善

尝试选择不同的衬底材料、不同的工艺条件,以及合理的结构,来改善硅双结色敏器件的蓝紫光响应,并在此基础上制作了蓝紫响应较好的器件。通过测试与分析,得出采用单晶衬底材料、深结较浅工艺的N+PN型器件蓝紫响应度较好的结论。

PLT薄膜的磁控溅射淀积及其性能

以(Pb_(1-z/100)La_(x/100))Ti_(1-x/400)O_3(简称 PLT)烧结粉末为溅射靶材,用射频磁控溅射技术,研究了PLT 薄膜的淀积工艺及其结构和电光性能。在玻璃和(0001)Al_2O_3衬底上制备出了高度定向的 PLT 薄膜,而在(100)SrTiO_3衬底上外延生长出 PLT 薄膜。研究了玻璃衬底上生长高度定向 PLT 薄膜的机制。用新颖的法拉第磁光调制技术测量了 PLT 薄膜的电光系数,得到薄膜的二次方电光系数 R>0.6×10^(-15)(m/v)~2。

基于静态链表SCPI解析系统设计

针对传统的SCPI解释方式占用过多内存,制约了在嵌入式系统上的应用,文中设计了一种方便移植和扩展的SCPI语言解析方法。该种方法用静态链表的结构来保存SCPI命令集,通过这种方法建立的SCPI解析模块,占用内存少,且方便移植和扩展。利用文中方法设计的SCPI解析模块可方便应于各种智能程控仪器,并适用在嵌入式系统下工作。

快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管

本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。

反向偏压下的异质结聚合物电致发光机理分析

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管 ,其中PDDOPV是一种空穴型聚合物材料而PPQ是一种电子型聚合物材料 .该器件在正反向偏压下均可发光 .在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射 .蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加 .提出了加速电场的概念 ,并在此基础上从理论上分析了蓝光强度与黄光强度的比值随反向偏压的增加而增加的发光机理 ,指出了决定这一比值的主要因素 .

分子束外延的CdTe在碲镉汞中波器件中钝化效果

采用分子束外延技术(MBE)制备了碲化镉(CdTe)原位钝化的中波碲镉汞(HgCdTe)材料。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch,表面粗糙度为1~2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密。微波光导测试结果显示,77 K时,与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比,CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大。制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件,和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似。

有场限环和横向变掺杂的平面结二极管电场分布的二维数值分析

本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二极管的反向击穿特性进行二维数值模拟;同时,为进一步克服由于高反偏压导致的低求算效率,本文引入一套与外加偏压相关的归一化参数对Poisson方程进行归一化,并给出归一化参数随外加偏压变化的经验公式。利用上述技术,分别对平面结二极管以及具有双FFLR's的结构和由五段Gauss掺杂分布形成的VLD的结构的平面结二极管的表面电场进行二维数值分析,得到了满意的结果。

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性。得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500ns,VF控制在0.9～1.3V。不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因。

掺杂型有机电致发光器件

成功制备了可溶性电子型聚合物PPQ [poly (phenylquinoxaline) ]掺杂的可溶性空穴型聚合物PDDOPV[poly(2 ,5 bis (dodecyloxy) phenylenevinylene) ]的单层发光器件。与具有相同厚度的纯PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5V降低到 2 .6V ,在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯PDDOPV的单层器件在同一个数量级 ,但其亮度和发光效率均比未掺杂器件提高 1个数量级以上。结果表明 ,在可溶性空穴型聚合物中掺杂可溶性电子型聚合物是提高器件性能的有效方法。

MoM与GTD算法结合评估着陆系统电磁环境

为提高进近着陆系统对不断变化场地环境的适应能力,要求对着陆系统电磁环境进行准确评估.提出利用MoM和GTD算法结合的方法分析进近着陆系统电磁环境效应.用MoM计算照射到位于近区场的散射体的入射场,然后将此结果作为GTD算法的源以预测评估对着陆系统辐射场的受扰特性.结果表明这种方法可有效用于评估着陆系统电磁环境.

具有不同组成摩尔比的共聚物P(DDOPV-PV)的发光光谱特性(英文)

测量了DDOPV(十二烷氧基-对苯乙炔)与对苯乙炔(PV)的系列共聚物的发光光谱。结果表明DDOPV与PV的组成摩尔比在一定程度上决定了了其共聚物的光谱特性。根据"自由电子气"模型给出了一个半定量的表达式解释了这一关系。得出调节共聚物的组成摩尔比是一种非常有效的获得具有期望发光波长的共聚物的手段,制备了结构为ITO/P(DDOPV-PV)/Al的单层发光器件。

Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）

光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命。通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔面区波长蓝移来制备非吸收窗口是抑制腔面COD的有效手段,也是一种高效率、低成本方法。本文选择了Si杂质作为量子阱混杂的诱导源,使用金属有机化学气相沉积设备生长了InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光器外延结构、Si杂质扩散层及Si 3 N 4保护层。热退火处理后,Si杂质扩散诱导量子阱区和垒区材料互扩散,量子阱禁带变宽,输出波长发生蓝移。退火会影响外延片的表面形貌,而表面形貌则可能会影响后续封装工艺中电极的制备。结合光学显微镜及光致发光谱的测试结果,得到825℃/2 h退火条件下约93 nm的最大波长蓝移量,也证明退火对表面形貌的改变,不会影响波长蓝移效果及后续电极工艺。