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快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管
1
作者
赵蔚
张玉书
+2 位作者
石家纬
金恩顺
高鼎三
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第8期590-593,共4页
本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。
关键词
发光二极管
台面型
INGAASP/INP
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职称材料
铂扩散快恢复二极管特性的研究
2
作者
孙树梅
曾祥斌
+3 位作者
袁德成
蒋陆金
肖敏
冯亚宁
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期930-934,共5页
描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之...
描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性。得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80~500ns,VF控制在0.9~1.3V。不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因。
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关键词
铂扩散
反向恢复时间
正向压降
漏电流
下载PDF
职称材料
一种消除P—N结高温IR漂移的方法:台面二极管管芯碱处理...
3
作者
杭德生
《电子产品可靠性与环境试验》
1992年第3期43-47,共5页
关键词
台面二极管
管芯
碱处理
液相钝化
下载PDF
职称材料
玻璃与非晶硅纯化的台面二极管比较
4
作者
唐元洪
燕登峰
《半导体杂志》
1990年第3期22-25,共4页
关键词
玻璃
非晶硅
纯化处理
台面二极管
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职称材料
题名
快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管
1
作者
赵蔚
张玉书
石家纬
金恩顺
高鼎三
机构
吉林大学电子科学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第8期590-593,共4页
文摘
本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。
关键词
发光二极管
台面型
INGAASP/INP
Keywords
Modulation bandwidth
Modulation depth
Spectrum half-width
分类号
TN314.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铂扩散快恢复二极管特性的研究
2
作者
孙树梅
曾祥斌
袁德成
蒋陆金
肖敏
冯亚宁
机构
华中科技大学电子科学与技术系
上海美高森美半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期930-934,共5页
文摘
描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性。得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80~500ns,VF控制在0.9~1.3V。不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因。
关键词
铂扩散
反向恢复时间
正向压降
漏电流
Keywords
platinum diffusion
reverse recovery time
forward voltage drop
leakage current
分类号
TN313.5 [电子电信—物理电子学]
TN314.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种消除P—N结高温IR漂移的方法:台面二极管管芯碱处理...
3
作者
杭德生
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1992年第3期43-47,共5页
关键词
台面二极管
管芯
碱处理
液相钝化
分类号
TN314.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
玻璃与非晶硅纯化的台面二极管比较
4
作者
唐元洪
燕登峰
出处
《半导体杂志》
1990年第3期22-25,共4页
关键词
玻璃
非晶硅
纯化处理
台面二极管
分类号
TN314.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管
赵蔚
张玉书
石家纬
金恩顺
高鼎三
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
下载PDF
职称材料
2
铂扩散快恢复二极管特性的研究
孙树梅
曾祥斌
袁德成
蒋陆金
肖敏
冯亚宁
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
3
一种消除P—N结高温IR漂移的方法:台面二极管管芯碱处理...
杭德生
《电子产品可靠性与环境试验》
1992
0
下载PDF
职称材料
4
玻璃与非晶硅纯化的台面二极管比较
唐元洪
燕登峰
《半导体杂志》
1990
0
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职称材料
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