期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
有场限环和横向变掺杂的平面结二极管电场分布的二维数值分析
1
作者
曾军
李肇基
陈星弼
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期18-24,共7页
本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二...
本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二极管的反向击穿特性进行二维数值模拟;同时,为进一步克服由于高反偏压导致的低求算效率,本文引入一套与外加偏压相关的归一化参数对Poisson方程进行归一化,并给出归一化参数随外加偏压变化的经验公式。利用上述技术,分别对平面结二极管以及具有双FFLR's的结构和由五段Gauss掺杂分布形成的VLD的结构的平面结二极管的表面电场进行二维数值分析,得到了满意的结果。
展开更多
关键词
平面结
二极管
数值分析
有场限环
下载PDF
职称材料
题名
有场限环和横向变掺杂的平面结二极管电场分布的二维数值分析
1
作者
曾军
李肇基
陈星弼
机构
电子科技大学微电子所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期18-24,共7页
基金
国家"7.5"攻关支持的项目
文摘
本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二极管的反向击穿特性进行二维数值模拟;同时,为进一步克服由于高反偏压导致的低求算效率,本文引入一套与外加偏压相关的归一化参数对Poisson方程进行归一化,并给出归一化参数随外加偏压变化的经验公式。利用上述技术,分别对平面结二极管以及具有双FFLR's的结构和由五段Gauss掺杂分布形成的VLD的结构的平面结二极管的表面电场进行二维数值分析,得到了满意的结果。
关键词
平面结
二极管
数值分析
有场限环
分类号
TN314.201 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有场限环和横向变掺杂的平面结二极管电场分布的二维数值分析
曾军
李肇基
陈星弼
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部