LDO稳压器敏感度建模与仿真技术

基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性,将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测。在敏感度仿真过程中,通过分析关键子电路和不断增加寄生元件,仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重。将仿真结果与传导直接注入法(DPI)片上测试结果对比,仿真结果与DPI测试在频域1MHz至1GHz匹配。

微型振动式压电发电机的设计与特性分析

为了设计出与应用场合相匹配的微型振动式压电发电机,采用模态分析和谐响应分析方法对压电双晶片发电机的振动特性进行了研究,并分析了压电晶片的长度、宽度、厚度、质量块质量等参数对压电发电机固有频率的影响。在此基础上,基于压电发电机的等效电路模型对发电机的发电特性进行了研究,并分析了压电发电机的上述结构参数对输出电压和功率的影响。实验结果表明,随着压电晶片长度和质量块质量的增加,固有频率降低,但共振情况下输出功率增加;随着压电晶片宽度和厚度的增加,固有频率增加,但在共振情况下输出功率减小。

微型电磁式振动能量采集器的设计和电磁特性仿真研究

为了设计出结构合理、性能优良的微型电磁式振动能量采集器,利用Ansoft Maxwell软件对模型的结构参数和输出电动势之间的关系进行有限元仿真,分析发现:随着圆形永磁体厚度、悬臂梁振幅的增加及悬臂梁和永磁体间距的减小,输出电动势逐渐增加;在永磁体半径不断增加的过程中,输出电动势会出现一极大值。根据优化原则设计出结构参数如下的模型:圆形SmCo28永磁体厚度为1 mm,半径为2 mm,悬臂梁振幅为1 mm,永磁体和悬臂梁之间的距离为1.02 mm。该模型的最大输出电动势为26 mV,最大输出功率为5.633μW。

静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究

对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.

晶体管爆裂噪声的积分双谱检测方法研究

本文根据对积分双谱分布特性分析，论证了晶体管爆裂噪声是服从非高斯且非对称分布的，并提出可利用积分双谱方法来检测晶体管爆裂噪声．

一种高速高压NPN管的研制

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。

碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较

由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs)也不尽相同。器件尺寸缩小特性研究是研究其应用前景的重要方式,而之前对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的研究并没考虑带间隧穿对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的影响。采用非平衡格林函数方法,对比研究了带间隧穿对C-CNFETs与T-CNFETs尺寸缩小特性的影响。研究结果表明两者存在较大差异、甚至截然相反的尺寸缩小特性。有利于为碳纳米管场效应管器件设计提供重要指导,以获取面积、速度、功耗之间的合理折中。

三级达林顿GTR体耐压计算机辅助设计

通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制了样品，测试表明，计算结果与实验结果符合得很好。

HEMT的Kink效应和低频偏移效应解析模型

本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好．文中还深入讨论了Ｉｎ组分和偏置的影响．

GTR电流增益的二维数值分析

在二维数值分析的基础上讨论了引起ＧＴＲ电流增益在大电流工作条件下降低的几个主要因素．认为要保持较高电流增益应以提高发射效率为主．提出了一种改善ＧＴＲ电流增益的多晶硅发射极结构．模拟结果预言了这种结构的有效性．

晶体管主要电参数在低温下变化的实验研究

作者对晶体管的主要电参数在低温下进行了仔细的测试,发现电流放大系数变化很大.作者认为这主要由eb结两侧尤其是发射区杂质电离浓度随温度变化很大的缘故.

晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究

本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结果,为此本文提出了pn结区缺陷引起的g-r噪声机理,给出了g-r噪声幅度及时间常数计算公式,可以对晶体管pn结缺陷形成的g-r噪声的形式及特点作出满意的解释.

晶体管非工作期失效率预计

本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作期失效率预计模型，经验证，预计失效率与现场失效率相吻合．通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作期失效率，尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期．

晶体管低频噪声模型参数的精确测量

本文针对目前使用的晶体管ＥｎＩｎ噪声模型及其测量方法的不足之处，提出改进方案，并给出精确测量噪声模型参数的方法。根据误差分析，提出测量谱相关系数的源阻抗选择规则，并对低噪声放大器进行实际测量，给出适合于低噪声电路设计的三维ＦＺｓ图形。

宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究

本文在研究一种特珠结构的光晶体管──异质结光晶体管（ＨＰＴ）的工作原理基础上，分析用宽带隙材料作发射区，可减少注入损耗，提高增益的特性。

二极管击穿电压的数值计算

本文以与实验结果符合得最好的R.V.Overstraeten等人的碰撞电离率为依据,按照雪崩击穿条件,采用数值方法计算了非穿通型单边突变结的雪崩击穿电压与衬底掺杂浓度的关系.在此基础上得到了非穿通型二极管击穿电压与电阻率的经验关系式,此组公式在给定的电压范围内与数值结果符合得相当好.对于穿通型二极管,把这些经验公式与解析式相结合所得结果与数值计算结果符合的程度更加令人满意.

车载主机与录像仪器相结合的新型导航产品研究

为了提高汽车的行车安全和驾驶优越感,提出了一种车载主机与录像仪器相结合的新型导航产品设计方案,并完成系统的软件设计框架和数据库图表关系。该新型导航产品基于WINCE6.0系统平台,支持轨迹记录和时间搜索,可实现实景导航与高清行车记录仪之间任意切换,并支持关键点回放和KML扩展格式文件在地图上浏览。采用本技术方案可使用户在导航和行车记录仪切换更方便,用户体验感更优越,从而提高导航产品的市场竞争力。

压力传感器芯片版图设计中若干重要问题(2)

４二极管与三极管的设计［９，１５］压力传感器中除力敏电桥外往往有补偿电路，桥输出信号放大电路以及测温电路，甚至集成电路等等，不可避免地涉及二极管及三极管的设计。晶体管的设计和其它任何设计一样，都有其设计的前提（已知的或规定的工作条件）以及设计的原则。...

δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱

本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收峰以及ＧａＡｓ本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论．

两级分布式微机系统测试1000管位晶体管参数的新方法

设计了两级分布式微机系统一次测试1000管位晶体管参数的新型系统。通过计算机的集散控制,可一次性完成1000管位的晶体管质量检验任务,上位机IBMPC/XT 作为管理机,下位机由两台单片机系统组成。测试的晶体管参数可直接在屏幕上显示,系统具有硬件电路结构简单、可靠性高、软件调试灵活等优点。