碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较

由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs)也不尽相同。器件尺寸缩小特性研究是研究其应用前景的重要方式,而之前对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的研究并没考虑带间隧穿对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的影响。采用非平衡格林函数方法,对比研究了带间隧穿对C-CNFETs与T-CNFETs尺寸缩小特性的影响。研究结果表明两者存在较大差异、甚至截然相反的尺寸缩小特性。有利于为碳纳米管场效应管器件设计提供重要指导,以获取面积、速度、功耗之间的合理折中。

三级达林顿GTR体耐压计算机辅助设计

通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制了样品，测试表明，计算结果与实验结果符合得很好。

GTR电流增益的二维数值分析

在二维数值分析的基础上讨论了引起ＧＴＲ电流增益在大电流工作条件下降低的几个主要因素．认为要保持较高电流增益应以提高发射效率为主．提出了一种改善ＧＴＲ电流增益的多晶硅发射极结构．模拟结果预言了这种结构的有效性．

压力传感器芯片版图设计中若干重要问题(2)

４二极管与三极管的设计［９，１５］压力传感器中除力敏电桥外往往有补偿电路，桥输出信号放大电路以及测温电路，甚至集成电路等等，不可避免地涉及二极管及三极管的设计。晶体管的设计和其它任何设计一样，都有其设计的前提（已知的或规定的工作条件）以及设计的原则。...

可重构单电子晶体管逻辑的设计与模拟

单电子晶体管以其超小的器件尺寸和极低的功耗,被认为是最有希望代替MOS器件的技术。国内外研究人员已经提出了多种基于单电子晶体管的逻辑结构。本文在分析单电子晶体管体电压效应的基础上,首次提出了基于体电压控制的可重构单电子晶体管逻辑门(RSETLG)。SPICE的模拟结果表明,RSETLG能够以其简单的结构实现多种逻辑功能,具有很高的应用价值。

晶体管简化π模型的分析

讨论了晶体管混合π模型与简化π模型在应用中的特点，导出了使用这两种模型分析放大器时，两个等效电路上限截止频率之间的关系，并给出了由ＰＳＰＩＣＥ软件包仿真数据绘制的曲线，从而对简化π模型的应用范围得出了明确的结论。

设计GTR的基本考虑

本文给出了GTR的性能分析和基本的设计考虑,为器件的设计和制造提供正确的原则和方法。

大动态范围输出跟随器的分析与设计

文章从实际的一些限定条件出发,对大动态范围输出的晶体管阻容耦合跟随器进行了分析。确定了晶体管工作点和输出范围的关系,提供了一种对晶体管要求较低的跟随器输出电路的设计新方法。

CPLD 在IGBT驱动设计中的应用

介绍了一个实用IGBT驱动信号转换电路的CPLD设计 并给出了该设计的仿真波形.

方片GTR体耐压的计算机辅助设计及制作

通过对三级复合达林顿结构GTR的体耐压进行计算机辅助分析。讨论了影响GTR体耐压的诸因素。提出了三级复合达林顿结构GTR体耐压的一种新的设计方法,并制作了样品,测试表明,计算结果与实验结果符合较好。

自对准栅场发射三极管的设计

对于场发射三极管，提高使用频率，增加跨导以提高增益是设计的关键。因此，本文在研究场发射三极管工作原理的基础上，重点分析了场发射三极管结构参数与电参数的关系，设计出了两种结构、四种尺寸的自对准栅场发射三极管单元结构参数，并对它们的性能进行了讨论。

半导体放电管的短路点设计

本文主要讨论了电话系统抗电涌防护装置中半导体放电管的阴极短路点设计方法。

按温度比例因子的低温双极晶体管优化设计

提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下,着重分析了双极晶体管发射区和基区的浓度及宽度在低温下的变化情况。结合按温度比例子变化后任何特定温度下的双极晶体管电流增益和截止频率的优化结果,给出了这些参数在按温度比例因子规则设计时温度比例因子的变化参数。

SIMS在半导体分离器件剖析中的应用

本文介绍SIMS技术在半导体分离器件剖析中的应用。通过深度分布分析,取得了晶体管有源区表面金属化层和内部掺杂层的深度分布曲线,据此获得晶体管试制的重要工艺参数——基区掺杂表面浓度值及其结深值。文中还讨论了一些存在问题。

超高速HEMT技术

本文介绍了近年来超高速HEMT技术的主要进展.从器件结构、特性、电路设计、材料制备及工艺等方面讨论了HEMT技术的潜力及待解决的问题.

晶体三极管的U_（ce）为零时I_c为零吗？

晶体三极管的Ｕ＿（ｃｅ）为零时Ｉ＿ｃ为零吗？天津胡宝寅晶体三极管是一种重要的半导体元器件，它具有电流放大和开关功能。人们用三极管和其它电子元件组成具有各种性能的模拟电路和数字电路，进而生产出各具特色的电子产品。可以说，三极管是这些电子电路的“心脏”。...

晶体管的计算机辅助设计

将晶体管设计中繁琐的纵向、横向参数的设计计算以及参数验算,采用Basic人机对话方式,由计算机完成。并用BAsic语言绘制出所需的七块光刻掩膜图。既大大地减轻了设计人员繁琐劳动、缩短了设计时间、提高设计质量,又便于修改。还可广泛用于同种结构的不同动率要求的各种晶体管的设计中。