平面掺杂的HEMT结构

近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱结构;(2)调制掺杂采用了平面掺杂结构;(3)制作了0.1～0.25μm的短栅。本文将对平面掺杂的结构、优点及其进展给以评介。