双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应的模拟计算和实验验证

在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣＩＩ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作；计算结果与实测结果符合得较好，说明该模拟技术和实验方法是可行的和可靠的。

晶体管非工作期失效机理及可靠性预计

本文较全面地分析了影响晶体管非工作期可靠性的主要因素及其失效机理。进而,在广泛收集现场与试验可靠性数据的基础上建立了我国晶体管在非工作状态下的失效率预计模型。经实践验证,表明该模型的预计效果良好。同时还提供了我国晶体管的贮存可靠性水平与贮存有效期,这一研究成果对军用装备的非工作期可靠性预计、设计、储备、更新以及预防性维修等方面都有深远的意义。

改善晶体管稳态工作寿命 试验方法的技术措施

1.引 言 晶体管稳态工作寿命试验是在给晶体管施加最大额定功率Ptotmax并在最高允许结温TJM下在规定时间内连续工作的可靠性试验项目。由此,可以了解器件在额定应力下的可靠性。国际标准、美国军用标准和我国有关标准都将其规定为必须的试验项目。本文将在分析现行试验方法所存在问题的基础,提出改善功率晶体管稳态工作寿命试验方法的技术措施——将直流连续工作改为连续脉冲工作。

硅场致发射阴极微型真空管的实验研究

本文介绍了利用半导体技术制造微型真空三极管和二极管的实验及部分测试与分析结果。

晶体管非工作状态可靠性预计

本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作状态失效率预计模型，经验证，预计失效率与现场失效率相吻合。通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作状态失效率，尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期。

用于PHEMT可靠性研究的光谱解析成象系统

介绍为进行ＰＨＥＭＴ功率器件的可靠性研究而首次建立的一套光谱解析成象系统实验装置。叙述系统的工作原理及其构成。

美国宇航级晶体管2N2219 AL实物质量水平剖析

本文报导了对美国宇航级晶体管２Ｎ２２１９ＡＬ进行一系列试验和检测的结果。

晶体管非线性失真分析

本文从器件物理和结构上提出双极型晶体管非线性失真模型。模型包含8个参量:(1)有效基区展宽效应;(2)发射极电流集边效应;(3)基区电导调制效应;(4)发射结电阻的非线性效应;(5)发射结电容的非线性效应;(6)集电结电容的非线性效应;(7)寄生电容的非线性效应;(8)电流放大系数和雪崩倍增效应与电压的非线性关系。利用Taylor级数展开分析各模型参数,并编制了计算程序,定量计算了互调失真与工作频率、发射极条宽、基区宽度、发射极线电流密度,基区掺杂浓度等重要参数的关系。计算结果与实验结果基本吻合。

美国宇航级晶体管2N2219AL实物质量水平剖析

本文报道了对美国宇航级晶体管２Ｎ２２１９ＡＬ进行一系列试验和检测的结果。

影响军用三极管芯片剪切强度可靠性的原因浅析

本文介绍了济南半导体所军用三极管的芯片剪切力的攻关过程及剪切强度的长期可靠性，重分析了影响剪切强度的各种因素。

InAlAs／InGaAs高电子迁移率晶体管的可靠性问题

研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ亚微米ＨＥＭＴ的影响。发现直流特性变差。Ｉ＿（ＤＳＳ）２９９ｍＡ／ｍｍ减到１８２ｍＡ／ｍｍ，Ｇ＿ｍ从５１３ｍＳ／ｍｍ减至２０９ｍＳ／ｍｍ，还测量出了微波参数的降低。ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别减少超过３０％和２０％，一些证据表明，由于在沟道／缓冲层界面和内部额外陷阶的存在而引起的变化是导致这种参数改变的原因。测量出的欧姆接触电阻率从０．１９Ωｍｍ曾加至０．２６Ωｍｍ。在一种测试样品中，所有器件的欧姆接触周围都形成了凝聚物，ＸＥＤＳ分析表明，它们中含有Ｇｅ，Ｎｉ和Ｏ。

晶体管电流增益随时间漂移的计算机仿真试验

本文研究了晶体管电流增益漂移的统计规律。获得了对其均值和方差的预测方法，利用Monte－Carlo仿真对实际产品在寿命试验中的失效进行了预测，与实际试验进行对比，获得令人满意的结果。

晶体管工艺筛选必要性的定性分析

本文简述了工艺筛选用试验项目及作用机理,并就一般元器件的失效规律结合工厂的实际情况做了一般性的探讨,同时对工作中遇到的一些问题做了详细的定性分析,表明工艺筛选是整个生产过程中的一个重要环节。