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题名抗辐射晶体管3DK9DRH的贮存失效分析
被引量:4
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作者
武荣荣
黄姣英
高成
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机构
北京航空航天大学可靠性与系统工程学院
北京航空航天大学可靠性与技术环境工程技术重点实验室
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出处
《现代电子技术》
2013年第6期109-112,共4页
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基金
国家国防科技工业局技术基础科研项目资助(Z132012A001)
国家自然科学基金项目资助(61201028)
+1 种基金
总装军用电子元器件共性课题资助(1107GK0032
1107GK0033)
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文摘
为了找到并纠正抗辐射晶体管3DK9DRH贮存失效的原因,利用外部检查、电性能测试、检漏、内部水汽检测、开封检查等试验完成了对晶体管3DK9DRH的一种贮存失效分析。结果表明晶体管存在工艺问题,内部未进行水汽控制,加上内部硫元素过高,长期贮存后内部发生了氧化腐蚀反应,从而导致晶体管功能失效。对此建议厂家对晶体管的生产工艺进行检查,对水汽和污染物如硫元素等加以控制,及时剔除有缺陷的晶体管。
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关键词
失效分析
失效机理
晶体管
辐照加固
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Keywords
failure analysis
failure mechanism
transistor
radiation-hardening
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分类号
TN321-34
[电子电信—物理电子学]
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题名大功率晶体管BUX10的退化试验与特性分析
被引量:3
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作者
周建洪
杜磊
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机构
辽宁科技大学
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出处
《现代电子技术》
2012年第24期153-154,158,共3页
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文摘
大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过比较各拟合轨迹的拟合优度,选取拟合最优的退化模型推算出伪失效寿命,然后利用退化试验数据的可靠性分析方法得到产品相应的可靠性信息。
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关键词
大功率晶体管
参数退化
退化数据
可靠性评估
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Keywords
high-power transistor
parameter degradation
degradation datal reliability evaluation
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分类号
TN321-34
[电子电信—物理电子学]
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