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双向负阻晶体管张弛振荡器分频锁相特性的研究 被引量:1
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作者 余道衡 朱照宣 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第5期551-556,共6页
本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是... 本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是正确有效的。 展开更多
关键词 负阻晶体管 张弛振荡器 分频锁相
全文增补中
巧用双向晶闸管的交流调压电路改进 被引量:1
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作者 侯晓霞 高宁 郑军 《实验技术与管理》 CAS 2004年第6期59-61,共3页
本文给出了一个单相交流调压电路,并巧妙地用了一个小功率双向晶闸管做了改进,使触发控制电路简单、成本降低、工作可靠并易于设计。
关键词 双向晶闸管 交流调压电路 单相交流 触发控制电路 小功率 可靠 成本降低
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双向负阻晶体管动态伏安特性的实验研究
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作者 周旋 高广和 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第3期327-331,共5页
本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态伏安特性对BNRT张弛振荡电路的一些性质进行了分析。实验结果与计算结果一致。本文还对改进器件结构的设计... 本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态伏安特性对BNRT张弛振荡电路的一些性质进行了分析。实验结果与计算结果一致。本文还对改进器件结构的设计,以便使器件达到更高的振荡频率提供了理论依据。 展开更多
关键词 负阻晶体和 张弛振荡器 伏安特性
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双向负阻晶体管的性能及其应用
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作者 周旋 李凤银 《电子世界》 1989年第10期7-9,共3页
关键词 双向 负阻 晶体管
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双向负阻晶体管的脉冲应用
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作者 高广和 冯明昭 付连生 《山东电子》 1994年第3期28-29,共2页
双向负阻晶体管的脉冲应用高广和,冯明昭,付连生关键词负阻晶体管,阶跃二极管,亚钠秒脉冲1引言双向负阻晶体管(BNRT)是我国发明的一种新功能器件,该器件是一种合并晶体管结构,如图1(a)所示,它在电路中的符号参照图1... 双向负阻晶体管的脉冲应用高广和,冯明昭,付连生关键词负阻晶体管,阶跃二极管,亚钠秒脉冲1引言双向负阻晶体管(BNRT)是我国发明的一种新功能器件,该器件是一种合并晶体管结构,如图1(a)所示,它在电路中的符号参照图1(b)。两输出电极El和E2具有完... 展开更多
关键词 双向负阻晶体管 晶体管 脉冲发生器
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有待开发的传感器-Z元件
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作者 孙健 《电子器件》 CAS 1999年第2期110-116,共7页
Z-元件发明于80年代,而公开见报却在90年代,专利费高达10亿美元。Z-元件与传统的传感器相比,无需前置放大器和A/D转换器,便可直接输出大幅值数字信号,且是无接触式测量,具有体积小,功耗低,抗噪能力强等优点。目前... Z-元件发明于80年代,而公开见报却在90年代,专利费高达10亿美元。Z-元件与传统的传感器相比,无需前置放大器和A/D转换器,便可直接输出大幅值数字信号,且是无接触式测量,具有体积小,功耗低,抗噪能力强等优点。目前国内尚无厂家生产,但是,在中国与Z-元件有很多共性的双向负阻晶体管BNRT(BidirectionalNegativeResistanceTransistor),有可能成为类似于Z-元件的传感器,也是有待研究与开发的半导体器件。 展开更多
关键词 Z-元件 双向负阻晶体管 传感器 负阻特性 开发
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微电子所获得100GHz的PHEMT晶体管
7
《现代材料动态》 2004年第6期23-23,共1页
关键词 PHEMT晶体管 微电子所 化合物半导体 InP基纳米栅HEMT
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