TFT—LCD的基本结构和TFT制造技术

ＴＦＴ—ＬＣＤ的基本结构和ＴＦＴ制造技术１引言随着信息社会的高度发展，用于人─—机联系的显示越来越重要了。由于计算机趋向于小型化，因此，与计算机连接的显示器件也要求体积小、重量轻、耗电少。从根本上来说，就是要以新的显示器件来取代持续４０多年唱主角的Ｃ...

CVD成膜技术

ＣＶＤ成膜技术（东芝）茨木伸树森一成１ＴＦＴ制备的关键工艺作为有源矩阵液晶显示的开关元件，从工作原理来看，薄膜晶体管（ＴＦＴ）是最好的。用来形成ＴＦＴ沟道的半导体活性层和栅绝缘膜的化学气相淀积（ＣＶＤ）技术，对器件性能来说的确是关键工艺。半导体活性层...

高空穴迁移率p沟道a-Si TFT

掺氢非晶硅(a-Si∶H)低空穴迁移率的问题已经通过控制膜中的氢含量而得到了解决.利用游离基控制法已经制备了具有低氢含量的a-Si膜,该法借助SiF_4和H_2混合物的辉光放电,并控制各反应成份的滞留时间.MOSFET样品表明空穴迁移率为0.12cm^2/Vs,电子迁移率为0.24cm^2/Vs.这为a-Si CMOS电路的可行性提供了论据.