电阻耦合单电子晶体管电学性能分析

基于单电子系统半经典模型 ,分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性 ,得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点 .通过时域特性分析 ,指出了时延参数τ=CΣ Rg,并用 Monte-

单电子晶体管及仿真实现方法

基于传统单电子理论 ,阐述了单电子晶体管的结构、原理、特点及应用。给出了三种仿真方法的具体实现过程 :解主方程方法、蒙特卡洛方法和 Spice宏模型方法 。

异质结电荷注入晶体管

通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提出了进一步的改进措施．

双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析

本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．

一种新型的电力半导体器件GTR(上)

一、GTR的发展历史及其国内外概况1948年美国Bell公司W.Shockly等人发明的点接触晶体管是世界上半导体器件发展历史上最重大的事件。四十年来,特别是近二十年来,随着理论研究的深入。

数据手册和SPICE宏模型，该以何者为重？

问题：在对贵公司的一个放大器进行SPICE（侧重于集成电路的仿真程序）仿真时，得到的结果与数据手册给出的结果不同，我应该以何者为重呢？