逆阻式IGBT的应用与驱动保护

新型电力半导体器件一逆阻式IGBT（Reverse Blocking IGBT，RBIGBT）正逐渐应用于大功率电力变换器特别是矩阵变换器中，本文主要比较了这种器件与普通GBT之间相似与不同的特点。同时，文章介绍了逆阻式IGBT的静动态特性，并针对其特性对驱动电路的设计做了详细的说明。本文还对逆阻式IGBT的过流保护电路做了一些必要的分析。

我国电力电子技术发展展望

以电力半导体器件为核心,加上电力变流技术、计算机技术等科学技术的移植渗透,开创了电力电子技术。电力电子器件的不断推陈出新,使电力电子技术的应用领域不断扩大,成为机电工业的基础技术和改造传统产业的有力手段。 随着电力半导体器件的发展,电力电子技术不但从整流发展到逆变,而且从低频发展到高频。应用领域扩展到国民经济和国防建设各部门。为合理高效的使用电能。

基于MSP430超低功耗海洋漂流浮标采集器的设计

为了满足远海气象水文监测需要,设计一种基于MSP430MCU海洋气象水文漂流浮标采集器;重点研究采集器电路设计及程序设计。为了最大限度提高采集器运行时长,采用超低功耗微处理器,供电系统采用锂电池与太阳能电池板,充电控制采用最大功率点跟踪(MPPT),并为所有部件设置独立电源控制;采集器运用国内自主研发的北斗通信方式,实现深远海气象水文数据采集。实际测试结果验证了系统的合理性和实用性,对于深远海洋气象水文观测意义重大。

新型GalnNAs系低功耗HBT研究进展

介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管（HBT）的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方面的应用前景。

表层漂流浮标系统超低功耗改进设计及实现

针对目前国内外表层漂流浮标系统工作时间有限的问题,设计一种基于STM32单片机的表层漂流浮标系统,对浮标系统进行低功耗设计,主要表现在系统硬件改进设计、低功耗器件选型、RTC的研究使用、数据最优采样存储等,另外进行软件优化,包括系统工作方式优化、卫星发射策略优化等。从而获得超低功耗的浮标系统,有效提升海上工作时间。实际测试结果表明,此系统满足实用性,并且漂流浮标低功耗系统有了可观的实验效果,对长时间海洋数据稳定获取具有重大意义。

在65nm工艺线开发低功耗晶体管

据日本《电子材料》2003年第8期报道,日本东芝公司在65nm CMOS工艺线成功地开发了世界最低功耗的晶体管。该晶体管采用氮化铪(HfSiON)作为高介电率栅氧化膜,控制了Si衬底的界面反应,确保了界面稳定性;此外采用等离子体氮化技术用HfSiON材料形成了高介电率膜。与Si氧化膜相比,栅漏电流降低至其1/1000的水平。