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基于改进开关可调电容的宽调谐太赫兹频率源设计
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作者 徐雷钧 芦哲涵 +1 位作者 白雪 陈建锋 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期119-124,共6页
针对太赫兹频率源调谐范围窄的问题,基于普通PMOS可变电容设计了一种改进的开关可调电容,实现了电容变化的单调性,并基于该电容结合衬底调谐方式设计了一种宽调谐范围、高输出功率的压控振荡器(Voltage-controlled oscillator, VCO)。... 针对太赫兹频率源调谐范围窄的问题,基于普通PMOS可变电容设计了一种改进的开关可调电容,实现了电容变化的单调性,并基于该电容结合衬底调谐方式设计了一种宽调谐范围、高输出功率的压控振荡器(Voltage-controlled oscillator, VCO)。将设计的VCO结合二倍频器实现了一种工作在太赫兹频段的,具有较宽调谐范围及较高输出功率的太赫兹频率源。使用40 nm CMOS工艺设计的太赫兹频率源输出频率为146.3~168.5 GHz,调谐范围14.1%,并同时具有最高1.3 dBm的输出功率,其在10 MHz频偏处的相位噪声最优为-105.52 dBc/Hz。 展开更多
关键词 太赫兹 压控振荡器 倍频器 开关电容 衬底调谐
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肖特基结多数载流子积累新型绝缘栅双极晶体管
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作者 段宝兴 刘雨林 +1 位作者 唐春萍 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期325-332,共8页
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.... 绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析.当新型IGBT处于导通状态,栅极施加正向偏压,由于肖特基势垒二极管极低的正向导通压降,使得栅半导体层的电压几乎等于栅极电压,从而能够在漂移区中积累大量的多数载流子电子.除了现有的电子外,这些积累的电子增大了漂移区的电导率,从而显著降低了正向导通压降.因此,打破了传统IGBT正向导通压降受漂移区掺杂浓度的限制.轻掺杂的漂移区可以使新型IGBT具有较高的击穿电压,同时减小了关断过程中器件内部耗尽层电容,因此整体米勒电容减小,提升了关断速度,减小了关断时间和关断损耗.分析结果表明,600 V级别的击穿电压时,新型IGBT的正向导通压降,关断损耗和关断时间相比常规IGBT分别降低了46.2%,52.5%,30%,打破了IGBT中正向导通压降和关断损耗之间的矛盾.此外,新型IGBT具有更高的抗闩锁能力和更大的正偏安全工作区.新型结构的提出满足了未来IGBT器件性能的发展要求,对于功率半导体器件领域具有重大指导意义. 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 积累模式 正向导通压降 关断损耗
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新型载流子积累的逆导型横向绝缘栅双极晶体管
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作者 段宝兴 王佳森 +1 位作者 唐春萍 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期179-186,共8页
通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文... 通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文提出了一种新型载流子积累的RC-LIGBT,它具有电子控制栅(electron-controlled gate,EG)和分离短路阳极(separated short-anode,SSA),可以同时实现较低的导通压降和关断损耗.在正向导通状态,漂移区上方的EG结构可以在漂移区的表面积累一个高密度的电子层,从而大大地降低器件的导通压降.同时,SSA结构的使用还极大优化了器件的关断损耗.另外,低掺杂p型漂移区与SSA结构配合,可以简单地实现反向导通并且消除回吸电压.仿真结果表明,所提出的器件具有优秀的导通压降与关断损耗之间的折衷关系,其导通压降为1.16 V,比SSA LIGBT低55%,其关断损耗为0.099 mJ/cm^(2),比SSA LIGBT和常规LIGBT分别低38.5%和94.7%. 展开更多
关键词 载流子积累 逆导型横向绝缘栅双极晶体管 导通压降 回吸电压
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电动汽车IGBT剩余使用寿命预测
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作者 杜先君 王紫阳 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2024年第2期77-86,共10页
引入一种基于贝叶斯优化(BOA)的双向长短时记忆网络(Bi-LSTM),同时结合注意力机制,应用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)剩余使用寿命预测,所提方法可有效提高IGBT剩余使用寿命预测的准确性.通过IGBT加速老化试验收集V CE-on,验证了其作为失... 引入一种基于贝叶斯优化(BOA)的双向长短时记忆网络(Bi-LSTM),同时结合注意力机制,应用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)剩余使用寿命预测,所提方法可有效提高IGBT剩余使用寿命预测的准确性.通过IGBT加速老化试验收集V CE-on,验证了其作为失效特征参数的可行性,并将其作为实验数据集对所提方法进行仿真验证.实验分析结果表明,所提的混合预测模型与经典LSTM及其他预测模型相比,有更低的退化预测误差,具备较高的理论意义和实践价值. 展开更多
关键词 电动汽车IGBT 剩余寿命预测 贝叶斯优化算法 注意力机制 双向长短时记忆网络
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基于Bo-BiLSTM网络的IGBT老化失效预测方法
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作者 万庆祝 于佳松 +1 位作者 佟庆彬 闵现娟 《电气技术》 2024年第3期1-10,共10页
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)受热应力冲击后对其进行老化失效预测精度不高的情况,提出一种基于贝叶斯优化(Bo)-双向长短期记忆(BiLSTM)网络的IGBT老化失效预测方法。首先分析IGBT模块老化失效原理,然后基于NASA老化实验数据集建立失... 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)受热应力冲击后对其进行老化失效预测精度不高的情况,提出一种基于贝叶斯优化(Bo)-双向长短期记忆(BiLSTM)网络的IGBT老化失效预测方法。首先分析IGBT模块老化失效原理,然后基于NASA老化实验数据集建立失效特征数据库,最后利用Matlab软件构造Bo-BiLSTM网络预测失效特征参数数据。选取常用回归预测性能评估指标将长短期记忆(LSTM)网络模型、BiLSTM网络模型与Bo-BiLSTM网络模型的预测结果进行对比分析。结果表明,Bo-BiLSTM网络的模型拟合精度更高,基于Bo-BiLSTM网络的IGBT老化失效预测方法具有较好的预测效果,能够应用于IGBT的失效预测。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 贝叶斯优化 双向长短期记忆(BiLSTM)网络 老化失效预测
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一种用于光隔离IGBT栅极驱动的智能型LED驱动电路 被引量:1
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作者 徐鉴 邓光平 +2 位作者 蒲熙 刘昌举 张继华 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第1期79-83,共5页
采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件... 采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件下,LED驱动电路的输入信号传输延迟时间为70 ns,复位信号有效到故障消除的延迟时间为4.59μs。所设计的驱动电路能够满足光耦隔离IGBT栅极驱动芯片的使用要求。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 双极型工艺 光耦隔离 故障反馈 LED驱动电路
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基于电参数的IGBT开关瞬态过程耦合关系分析
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作者 李雨泽 张秀敏 +3 位作者 袁文迁 宋鹏 季一润 焦超群 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期1252-1263,共12页
IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首... IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首先,分析了IGBT内寄生PIN结构、集射极电压对栅极控制模型的影响。其次,基于栅极控制模型的分析,提出集电极电流的拟合次数应考虑电流变化过程持续时间及计算场景,二次及以下多项式拟合可近似描述集电极电流波形并开展功率损耗分析,但不适于电流变化率和感应电压分析。再次,比较了开通和关断过程计算所得回路寄生电感值的差异,提出了不同过程计算回路寄生电感的适用范围及FWD封装寄生电感的计算方法。最后,分析了瞬态过程栅极电压和集射极电压的耦合关系,提出了通过栅极电压估计集射极电压的状态监测方法并进行了实验验证。 展开更多
关键词 栅极电压 集射极电压 电流上升过程 电流下降过程 寄生电感 耦合关系
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基于改进DBO优化BiLSTM的IGBT老化预测模型
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作者 韩素敏 赵国帅 +2 位作者 尚志豪 余悦伟 郭宇 《电子测量技术》 北大核心 2024年第1期46-54,共9页
为了表征逆变器故障中IGBT模块的老化趋势,提高老化过程的预测精度,本文提出一种基于改进蜣螂搜索算法(IDBO)优化双向长短期神经网络(BiLSTM)超参数的IGBT老化预测模型。首先提取老化过程中Vce.on的时频域特征,利用核主成分分析进行降... 为了表征逆变器故障中IGBT模块的老化趋势,提高老化过程的预测精度,本文提出一种基于改进蜣螂搜索算法(IDBO)优化双向长短期神经网络(BiLSTM)超参数的IGBT老化预测模型。首先提取老化过程中Vce.on的时频域特征,利用核主成分分析进行降维构建归一化综合指标。其次,针对蜣螂搜索算法(DBO)的不足,通过引入改进Circle混沌映射、Levy飞行和自适应权重因子提升了DBO寻优能力和收敛性能,利用IDBO对BiLSTM预测模型超参数实现全局寻优。最后,通过实际IGBT退化数据验证了基于IDBO优化BiLSTM老化预测模型的有效性和优越性。结果表明,所构建的IDBO-BiLSTM模型与BiLSTM模型相比RMSE平均下降36.42%、MAE平均下降31.77%、MAPE平均下降41.03%。 展开更多
关键词 蜣螂搜索算法 BiLSTM神经网络 Levy飞行策略 IGBT 老化预测
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基于锗硅异质结双极晶体管的低噪声放大器及其反模结构的单粒子瞬态数值仿真研究
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作者 黄馨雨 张晋新 +6 位作者 王信 吕玲 郭红霞 冯娟 闫允一 王辉 戚钧翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期288-299,共12页
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SE... 针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SET脉冲的幅值增大,振荡时间延长;随着离子入射角的增大,LNA端口的SET脉冲的幅值先增大后减小,振荡时间减小.使用反模(IM)共射共基结构(Cascode)降低LNA对单粒子效应的敏感度,验证了采用IM结构的LNA电路的相关射频性能.针对离子于共基极(CB)晶体管、共发射极(CE)晶体管两种位置入射进行SET实验.实验结果与本实验中的正向模式相比,IM Cascode结构的LNA电路的瞬态电流持续时间明显减少,并且峰值减小了66%及以上. 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 反模 混合仿真
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压接IGBT小管壳与外框高温热老化绝缘特性
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作者 李凯旋 江心宇 +4 位作者 杨紫月 姚茗瀚 张博雅 李兴文 莫申扬 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期3644-3654,共11页
近年来IGBT模块朝着更高电压等级与更大功率密度的方向发展,有限空间内的高电压与大电流将使得器件在高温下的绝缘失效概率急剧增加,模块中承受长时间高温的封装材料面临着绝缘退化乃至失效的风险。因此,亟需针对IGBT模块中封装材料开... 近年来IGBT模块朝着更高电压等级与更大功率密度的方向发展,有限空间内的高电压与大电流将使得器件在高温下的绝缘失效概率急剧增加,模块中承受长时间高温的封装材料面临着绝缘退化乃至失效的风险。因此,亟需针对IGBT模块中封装材料开展高温与热老化绝缘特性研究。文中面向压接IGBT中的小管壳玻璃纤维增强型聚对苯二甲酰癸二胺和外框玻璃纤维增强不饱和聚酯封装材料,通过微观形貌、组分、介电及沿面闪络描述了两种材料的高温与热老化特性。结果表明,两种材料在热氧老化后出现不可逆的黄变现象,组分显示这与有色官能团的增加有关。此外,两种材料介电与电导性能在高温与热老化后都有所退化,尽管如此,外框仍旧满足IEC标准中关于介质损耗因数的要求(≤0.03)。小管壳和外框在150℃高温下耐压分别下降27%与29%,能带结构的计算结果验证了沿面闪络的退化行为。 展开更多
关键词 压接IGBT模块 封装材料 高温 热老化 绝缘特性
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IGBT灌封用苯基改性有机硅凝胶的耐热及介电性能研究
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作者 王争东 罗盟 +3 位作者 王然 李梦力 周远航 成永红 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第14期5833-5844,I0034,共13页
随着绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)向高电压、大功率化方向发展,其产生的热量和运行温度快速上升,致使其绝缘封装系统失效问题愈发突出。为满足IGBT日益严苛的工作环境,亟需研发一种高性能的有机硅灌封... 随着绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)向高电压、大功率化方向发展,其产生的热量和运行温度快速上升,致使其绝缘封装系统失效问题愈发突出。为满足IGBT日益严苛的工作环境,亟需研发一种高性能的有机硅灌封材料。该文通过化学合成制备苯基改性有机硅凝胶(phenyl modified silicone gel,PMSG),研究其耐热和介电性能。结果表明:PMSG失重5%的热失重温度为383℃,室温击穿场强可达32.62 kV/mm,比纯有机硅凝胶(pure silicone gel,PSG)提高17.42%,且150℃击穿场强相较于室温击穿场强仅下降25.38%,展现出更优良的高温耐电特性。同时,其相比于PSG具有更低的介电损耗。因此,PMSG作为IGBT封装材料时,整体性能更加优良。该研究将为IGBT封装用新型高性能绝缘材料的研制提供有效思路和理论基础。 展开更多
关键词 苯基改性有机硅凝胶 绝缘封装 热稳定性 击穿强度 高温耐电
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Reliability evaluation of IGBT power module on electric vehicle using big data 被引量:1
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作者 Li Liu Lei Tang +5 位作者 Huaping Jiang Fanyi Wei Zonghua Li Changhong Du Qianlei Peng Guocheng Lu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第5期50-60,共11页
There are challenges to the reliability evaluation for insulated gate bipolar transistors(IGBT)on electric vehicles,such as junction temperature measurement,computational and storage resources.In this paper,a junction... There are challenges to the reliability evaluation for insulated gate bipolar transistors(IGBT)on electric vehicles,such as junction temperature measurement,computational and storage resources.In this paper,a junction temperature estimation approach based on neural network without additional cost is proposed and the lifetime calculation for IGBT using electric vehicle big data is performed.The direct current(DC)voltage,operation current,switching frequency,negative thermal coefficient thermistor(NTC)temperature and IGBT lifetime are inputs.And the junction temperature(T_(j))is output.With the rain flow counting method,the classified irregular temperatures are brought into the life model for the failure cycles.The fatigue accumulation method is then used to calculate the IGBT lifetime.To solve the limited computational and storage resources of electric vehicle controllers,the operation of IGBT lifetime calculation is running on a big data platform.The lifetime is then transmitted wirelessly to electric vehicles as input for neural network.Thus the junction temperature of IGBT under long-term operating conditions can be accurately estimated.A test platform of the motor controller combined with the vehicle big data server is built for the IGBT accelerated aging test.Subsequently,the IGBT lifetime predictions are derived from the junction temperature estimation by the neural network method and the thermal network method.The experiment shows that the lifetime prediction based on a neural network with big data demonstrates a higher accuracy than that of the thermal network,which improves the reliability evaluation of system. 展开更多
关键词 IGBT junction temperature neural network electric vehicles big data
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基于双分支Cauer模型的IGBT模块焊料层老化监测方法
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作者 刘雪庭 杜明星 +1 位作者 马格 尹艺迪 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期336-341,共6页
以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的焊料层为研究对象,在传统Cauer模型的基础上,提出考虑芯片-铜端子热流支路的双分支Cauer模型,利用光纤温度传感器测量裸露在IGBT模块外部的铜端子温度和IGBT模块底板温度,以获取IGBT芯片结温,通过分析芯片... 以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的焊料层为研究对象,在传统Cauer模型的基础上,提出考虑芯片-铜端子热流支路的双分支Cauer模型,利用光纤温度传感器测量裸露在IGBT模块外部的铜端子温度和IGBT模块底板温度,以获取IGBT芯片结温,通过分析芯片结温、铜端子温度、底板温度的变化规律,准确定位焊料层老化位置,以区分芯片焊料层老化和底板焊料层老化,从而实现对不同焊料层的老化状态监测。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 状态监测 有限元分析 焊料层老化 Cauer热网络模型
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一种考虑复合电流的SiC LBJT行为模型改进
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作者 潘灿 牟炳福 +2 位作者 李军 王音心 郭琳琳 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期287-292,共6页
介绍了一种考虑基区SiC/SiO2界面处复合电流的SiC LBJT改进模型。分析了横向碳化硅双极结型晶体管与其垂直结构之间的区别,将横向BJT的外延层和半绝缘机构等效为衬底电容。再引入一个平行于SiC BJT基极结的附加二极管来描述复合电流,以... 介绍了一种考虑基区SiC/SiO2界面处复合电流的SiC LBJT改进模型。分析了横向碳化硅双极结型晶体管与其垂直结构之间的区别,将横向BJT的外延层和半绝缘机构等效为衬底电容。再引入一个平行于SiC BJT基极结的附加二极管来描述复合电流,以垂直SiC BJT的SGP模型为基础建立SiC LBJT行为模型。校准了LBJT模型的基区渡越时间,模型与实际器件的开关特性接近吻合。相较于未考虑复合电流的LBJT模型,改进后的模型输出特性曲线与实测数据精度误差较小。该模型可以较精确地描述受复合电流影响的LBJT器件行为。 展开更多
关键词 碳化硅 LBJT 衬底电容 复合电流 开关特性 输出特性曲线
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具有自适应浮空分裂栅IGBT的特性研究
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作者 吴振珲 廖淋圆 +1 位作者 赵书 张涛 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第4期447-453,共7页
为降低传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关损耗E_(SW),提出了一种具有自适应浮空分裂栅的IGBT结构(AFSG-IGBT),并进行了仿真研究。此结构在传统载流子存储沟槽栅双极晶体管结构(CSTBT)的基础上,在沟槽栅中集成了分裂栅和P型结型场效应晶... 为降低传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关损耗E_(SW),提出了一种具有自适应浮空分裂栅的IGBT结构(AFSG-IGBT),并进行了仿真研究。此结构在传统载流子存储沟槽栅双极晶体管结构(CSTBT)的基础上,在沟槽栅中集成了分裂栅和P型结型场效应晶体管(JFET)。栅极与P型JFET相互耗尽,可以大幅降低米勒电容C_(GC),并且降低E_(SW)。在AFSG-IGBT导通时,P型JFET的沟道被夹断,使分裂栅保持在浮空状态,从而保证足够的注入增强效应。仿真结果表明,相比于CSTBT,AFSG-IGBT在高集电极电压下C_(GC)降低了79.7%,栅极电荷Q_(g)降低了52.6%。在导通压降(V_(ON))为1.4 V和集电极电流为100 A/cm^(2)的条件下,AFSG-IGBT的开通损耗E_(on)和关断损耗E_(off)分别比CSTBT低了37.1%和28.5%,并且该结构在驱动电阻分别为5Ω和10Ω时都显示出更优良的V_(ON)-E_(SW)折中关系。 展开更多
关键词 IGBT CSTBT 开关损耗 分裂栅 米勒电容
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BCD工艺中大电流下纵向双极晶体管的电流集边效应研究
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作者 彭洪 王蕾 +3 位作者 谢儒彬 顾祥 李燕妃 洪根深 《电子与封装》 2024年第3期87-91,共5页
在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm... 在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm、30μm×10μm三种不同尺寸的发射极并进行TCAD仿真研究。在发射极面积相同的情况下,发射极长宽比越小,TCAD可观察到的电流集边效应越严重,最终流片并进行测试验证,得出75μm×4μm的细长结构尺寸能够提升晶体管在大电流下的放大能力,较30μm×10μm的结构提升约11.4%。 展开更多
关键词 双极晶体管 功率 发射区结电流集边效应 大电流
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双极晶体管空间辐射效应的研究进展
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作者 韩星 王永琴 +3 位作者 曾娅秋 刘宇 粟嘉伟 林珑君 《环境技术》 2024年第7期188-194,共7页
双极晶体管具有电流驱动能力强、噪声低、线性度高等优点,已成为航天飞行器中常用的电子元器件。然而,在空间辐射环境下服役时,双极晶体管容易发生性能退化,进而危及航天设备的运行。因此,本文综述了双极晶体管在空间辐射环境中产生的... 双极晶体管具有电流驱动能力强、噪声低、线性度高等优点,已成为航天飞行器中常用的电子元器件。然而,在空间辐射环境下服役时,双极晶体管容易发生性能退化,进而危及航天设备的运行。因此,本文综述了双极晶体管在空间辐射环境中产生的损伤效应,主要包含电离损伤效应、位移损伤效应以及电离/位移损伤协同效应,并分析了双极晶体管的性能退化规律以及损伤机理,从而为双极晶体管的抗辐射研究提供一定的参考。 展开更多
关键词 双极晶体管 总剂量电离辐射效应 位移损伤效应 低剂量率增强效应 电离/位移协同效应
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计及IGBT模块键合线与芯片焊料层老化的热网络法结温计算
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作者 何梦宇 许智亮 +2 位作者 谢望玉 葛兴来 王为介 《铁道机车车辆》 北大核心 2024年第4期28-35,共8页
文中提出一种计及IGBT模块键合线与芯片焊料层老化的热网络法结温计算,基于Simulink对短时间尺度下损耗与结温的相互依赖关系进行更新,并分别通过双脉冲测试及有限元仿真修正长时间尺度下键合线与芯片焊料层老化对IGBT结温计算的影响,... 文中提出一种计及IGBT模块键合线与芯片焊料层老化的热网络法结温计算,基于Simulink对短时间尺度下损耗与结温的相互依赖关系进行更新,并分别通过双脉冲测试及有限元仿真修正长时间尺度下键合线与芯片焊料层老化对IGBT结温计算的影响,在此基础上,根据芯片焊料层不同老化状态下键合线的应力特征,实现两种老化模式的相互关联,较为准确地计算IGBT结温。最终利用试验平台与传统结温计算方法进行对比验证了所提结温计算方法的准确性。该结温计算方法有助于在实际运行工况及IGBT模块老化状态下精确计算结温。 展开更多
关键词 IGBT结温计算 热网络模型法 模块老化 双脉冲试验 有限元仿真
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IGBT表面MOS结构的研究
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作者 赵田 《内江科技》 2024年第6期35-36,共2页
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,... IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,结果表明,为了获得最大的通流能力,首先要对MOS的栅宽和栅的间距做最佳匹配,其次是对BJT分量中的P+阱宽度做出合理设计,以期获得较高的抗闩锁能力。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 MOS结构 功率半导体器件 IGBT 电力电子技术 全控型电力电子器件 计算机仿真软件 BJT
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基于优化长短期记忆神经网络的IGBT寿命预测模型 被引量:4
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作者 任宏宇 余瑶怡 +2 位作者 杜雄 刘俊良 周君洁 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第4期1074-1086,共13页
为了防止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)突发性失效而影响电力电子设备安全可靠运行,急需对IGBT剩余寿命做出精确预测,这对现有预测模型在高准确性和低不确定性方面提出了挑战。该文提出一种优化模型,该模型通过利用逐次变分模态分解(SVMD)... 为了防止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)突发性失效而影响电力电子设备安全可靠运行,急需对IGBT剩余寿命做出精确预测,这对现有预测模型在高准确性和低不确定性方面提出了挑战。该文提出一种优化模型,该模型通过利用逐次变分模态分解(SVMD)技术来提取退化特征,并采用贝叶斯方法优化长短期记忆(LSTM)神经网络的超参数以提高预测性能。首先,该模型通过SVMD技术将退化特征数据分解为多个模态后将有用模态重构从而提取和增强退化特征;其次;利用贝叶斯优化方法通过高斯过程(GP)代理模型和期望改进(EI)采集函数对LSTM预测模型超参数实现全局寻优;最后,基于SVMD特征提取技术和贝叶斯优化LSTM网络的预测模型通过实际IGBT退化特征数据证明了模型的有效性和优越性。结果表明,所提模型与传统优化模型相比,提高了13%的寿命预测准确性,并减少了34%的预测不确定性。 展开更多
关键词 IGBT 可靠性 寿命预测 模态分解 失效分布
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