期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
非线性双极晶体管模型的研究
1
作者
杨永辉
杨洪林
《无线电工程》
1998年第6期59-63,共5页
本文对非线性双极晶体管的模型进行了研究,非线性晶体管模型对微波CAD和无线电系统仿真都是非常关键的。本文采用等效电路模拟非线性双极晶体管,给出了等效电路模型及模型参数,并用这些参数描述了非线性双极晶体管工作过程中的直流特性...
本文对非线性双极晶体管的模型进行了研究,非线性晶体管模型对微波CAD和无线电系统仿真都是非常关键的。本文采用等效电路模拟非线性双极晶体管,给出了等效电路模型及模型参数,并用这些参数描述了非线性双极晶体管工作过程中的直流特性和各种效应:基区宽度调制效应、电荷储存效应;正向电流增益(BF)随电流的变化以及温度的影响等。为准确地建立不同用途双极晶体管的模型提供了依据。
展开更多
关键词
非线性
双极晶体管模型
电荷储存效应
参数提取
下载PDF
职称材料
硅低温双极型晶体管电流增益的分析
2
作者
魏同立
郑茳
冯耀兰
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1990年第6期24-30,共7页
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温...
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.
展开更多
关键词
晶体管
硅
电流增益
低温
双极型
全文增补中
硅双极晶体管1/f噪声的物理机制
3
作者
赵宇
郑茳
+1 位作者
魏同立
吴金
《电子器件》
CAS
1993年第1期1-9,23,共10页
在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声.到目前为止,一般认为1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落,这二种1/f噪声有不同的表现形式.目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于1/f噪声的物理基础还没有一...
在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声.到目前为止,一般认为1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落,这二种1/f噪声有不同的表现形式.目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于1/f噪声的物理基础还没有一个完整的认识.本文对1/f噪声研究的主要结果作了评述.
展开更多
关键词
硅
双极晶体管
噪声
物理机制
下载PDF
职称材料
集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f_(max)、f_T的双异质结双极晶体管
4
作者
焦智贤
《半导体情报》
1995年第2期1-5,共5页
本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流I_c和集电极-发射极问电压V_CE的函数关系研究了集电区含InGaAsP层、基区为Zn高掺杂的小尺寸InP/InGaAsDHBT的高性能。结果表明,减小发射极宽度比减其长度能...
本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流I_c和集电极-发射极问电压V_CE的函数关系研究了集电区含InGaAsP层、基区为Zn高掺杂的小尺寸InP/InGaAsDHBT的高性能。结果表明,减小发射极宽度比减其长度能更有效地提高,0.8μm发射极金属条宽的DHBT在I_c=4mA的小电流时,具有超出超高的f_(max)和f_T,其数值分别为267GHz和144GHz,f_(max)的增加归结为基区电阻和降低了的Bc结电容乘积的降低。
展开更多
关键词
异质结
双极晶体管
INP基
铟
磷
GaAs基
镓
砷
下载PDF
职称材料
题名
非线性双极晶体管模型的研究
1
作者
杨永辉
杨洪林
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《无线电工程》
1998年第6期59-63,共5页
文摘
本文对非线性双极晶体管的模型进行了研究,非线性晶体管模型对微波CAD和无线电系统仿真都是非常关键的。本文采用等效电路模拟非线性双极晶体管,给出了等效电路模型及模型参数,并用这些参数描述了非线性双极晶体管工作过程中的直流特性和各种效应:基区宽度调制效应、电荷储存效应;正向电流增益(BF)随电流的变化以及温度的影响等。为准确地建立不同用途双极晶体管的模型提供了依据。
关键词
非线性
双极晶体管模型
电荷储存效应
参数提取
分类号
TN322.801 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
硅低温双极型晶体管电流增益的分析
2
作者
魏同立
郑茳
冯耀兰
机构
东南大学微电子中心
出处
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1990年第6期24-30,共7页
文摘
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.
关键词
晶体管
硅
电流增益
低温
双极型
Keywords
silicon
bipolar transistors
low temperature/current gain
分类号
TN322.801 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
硅双极晶体管1/f噪声的物理机制
3
作者
赵宇
郑茳
魏同立
吴金
出处
《电子器件》
CAS
1993年第1期1-9,23,共10页
文摘
在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声.到目前为止,一般认为1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落,这二种1/f噪声有不同的表现形式.目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于1/f噪声的物理基础还没有一个完整的认识.本文对1/f噪声研究的主要结果作了评述.
关键词
硅
双极晶体管
噪声
物理机制
分类号
TN322.801 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f_(max)、f_T的双异质结双极晶体管
4
作者
焦智贤
出处
《半导体情报》
1995年第2期1-5,共5页
文摘
本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流I_c和集电极-发射极问电压V_CE的函数关系研究了集电区含InGaAsP层、基区为Zn高掺杂的小尺寸InP/InGaAsDHBT的高性能。结果表明,减小发射极宽度比减其长度能更有效地提高,0.8μm发射极金属条宽的DHBT在I_c=4mA的小电流时,具有超出超高的f_(max)和f_T,其数值分别为267GHz和144GHz,f_(max)的增加归结为基区电阻和降低了的Bc结电容乘积的降低。
关键词
异质结
双极晶体管
INP基
铟
磷
GaAs基
镓
砷
分类号
TN322.801 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非线性双极晶体管模型的研究
杨永辉
杨洪林
《无线电工程》
1998
0
下载PDF
职称材料
2
硅低温双极型晶体管电流增益的分析
魏同立
郑茳
冯耀兰
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1990
0
全文增补中
3
硅双极晶体管1/f噪声的物理机制
赵宇
郑茳
魏同立
吴金
《电子器件》
CAS
1993
0
下载PDF
职称材料
4
集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f_(max)、f_T的双异质结双极晶体管
焦智贤
《半导体情报》
1995
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部