硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器

文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。

电力半导体器件的现状及发展趋势

电力半导体器件的现状及发展趋势ＰｒｅｓｅｎｔＳｔａｔｕｓａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＴｅｎｄｅｎｃｙｏｆＰｏｗｅｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＤｅｖｉｃｅｓ西安电力电子技术研究所吴济均（西安７１００６１）１前言电力半导体器件的特性直接影响到电力电子系统...

双极晶体管的杂质扩散行为及其BiCMOS工艺优化

双极晶体管的杂质扩散行为及其ＢｉＣＭＯＳ工艺优化王界平编译１ 引言各种仪器、设备性能的改进，要求集成电路进一步提高其集成度。随着集成度的提高，一方面可以改善性能、提高可靠性；另外也能降低成本、方便维修。提高集成度可以着眼于以下三个方面：（１）缩小器件...

SO封装晶体管的功率

便携式电子产品的技术革新令人眼花缭乱。当你减小产品的体积时,你必须集成更多的功能,而且肯定会寻找一种取代分立元件的方法。一种单电路解决方案将是理想的解决方案。一个分立元件占优势的领域是电源管理。在便携式产品中。

氧化物墙隔离E、B、C的双极高速晶体管制造工艺

本文介绍了一种IC中使用的双极高速晶体管制造工艺，该工艺制造的晶体管的E、B、C均由氧化物墙隔离，消除了pn结的侧壁结，使双极晶体管的两个pn结基本上成为平面结，提高晶体管的fT。本文介绍了该工艺的工艺流程。分析了该工艺结构晶体管的特点，介绍了关键工艺步骤的工艺过程及工艺参数。并给出该工艺制造的晶体管的电参数及该工艺的应用前景。