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AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究 被引量：5
1
作者 顾伟东 夏冠群 +2 位作者 冯先根 吴强 P.A.HoustonA 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期748-754,共7页
本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockle... 本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockley－Read-Hall公式，计算了发射结空间电荷区（SCR）中的复合电流，探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响．本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据． 展开更多
关键词 HBT 异质结 测试 发射结 双极型晶体管
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IGBT特性的测量方法 被引量：5
2
作者 张秀澹 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1995年第1期68-70,共3页
ＩＧＢＴ特性的测量方法张秀澹ＴｈｅＴｅｓｔＭｅｔｈｏｄｓｏｆＩＧＢＴ￥／／本文根据国际电工委员会（ＩＥＣ）的最新标准资料，扼要介绍了ＩＧＢＴ①栅极一发射极门槛电压；②栅极一发射极漏电流；③关断耗因功率、关断耗散能量②... ＩＧＢＴ特性的测量方法张秀澹ＴｈｅＴｅｓｔＭｅｔｈｏｄｓｏｆＩＧＢＴ￥／／本文根据国际电工委员会（ＩＥＣ）的最新标准资料，扼要介绍了ＩＧＢＴ①栅极一发射极门槛电压；②栅极一发射极漏电流；③关断耗因功率、关断耗散能量②开通时间、开通延迟时间、上升时间，... 展开更多
关键词 IGBT 测量 测量电路
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双极晶体管中子辐照测量分析
3
作者 李继国 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第12期41-48,共8页
本文讨论了双极晶体管在瞬时中子辐照时测试条件变化对测试电流增益h_(FE)的影响,并利用稳态中子源上的测试结果对其进行评估。
关键词 双极晶体管 中子辐照 测量
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1800V／300A非破坏性双极型电力晶体管测试仪
4
作者 Carpe.,G 罗兴宪 《国外电力电子技术》 1991年第2期15-20,共6页
关键词 电力晶体管 晶体管 测试仪
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用双电流法测量双极晶体管的结温 被引量：1
5
作者 杨志伟 杜文华 +3 位作者 苗庆海 张德骏 张兴华 杨列勇 《山东大学学报（自然科学版）》 CSCD 1999年第4期417-420,共4页
基于Shockley 方程提出用双电流法测量半导体器件的结温,并与传统的线性近似法进行对比,消除了由于不同器件热电性能的差异引入的误差。
关键词 双电流法 双极晶体管 △VBE法 结温测量 Shockley方程 热电性能 测量方法
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