基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而且还表现出良好的微波特性 ,其结果与能带理论的预言一致 ,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为 1.0 0和 1.0 6 ,击穿电压高达 15 V,电流放大增益截止频率超过 10 0

热屏开槽对行波管阴极-热子组件热学性能的影响

运用实验和ANSYS软件仿真相结合的方法,对阴极-热子组件内侧热屏开槽后整个组件的温度和热流进行了研究。结果表明:在内侧热屏上适当的开槽可以改善阴极-热子组件的热学性能,显著地减少热屏向底座方向上的热流。计算机仿真结果和实验测量数据基本吻合。

AlN间隔层厚度对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的仿真研究

二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。