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基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管
1
作者
徐现刚
刘喆
崔得良
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期962-965,共4页
采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而且还表现出良好的微波特性 ,其结果与能带理论的预言一致 ,DHB...
采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而且还表现出良好的微波特性 ,其结果与能带理论的预言一致 ,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为 1.0 0和 1.0 6 ,击穿电压高达 15 V,电流放大增益截止频率超过 10 0
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关键词
GAASSB
INP
MOCVD
双异质结晶体三极管
DHBT
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职称材料
热屏开槽对行波管阴极-热子组件热学性能的影响
被引量:
5
2
作者
翟亮
俞世吉
《科学技术与工程》
2011年第19期4464-4468,共5页
运用实验和ANSYS软件仿真相结合的方法,对阴极-热子组件内侧热屏开槽后整个组件的温度和热流进行了研究。结果表明:在内侧热屏上适当的开槽可以改善阴极-热子组件的热学性能,显著地减少热屏向底座方向上的热流。计算机仿真结果和实验测...
运用实验和ANSYS软件仿真相结合的方法,对阴极-热子组件内侧热屏开槽后整个组件的温度和热流进行了研究。结果表明:在内侧热屏上适当的开槽可以改善阴极-热子组件的热学性能,显著地减少热屏向底座方向上的热流。计算机仿真结果和实验测量数据基本吻合。
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关键词
ANSYS软件
阴极-热子组件
热屏开槽
温度
热流
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职称材料
AlN间隔层厚度对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的仿真研究
被引量:
1
3
作者
刘劭璠
张明兰
《科技风》
2017年第8期205-208,共4页
二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移...
二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。
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关键词
HEMT
间隔层
迁移率
载流子浓度
仿真
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职称材料
题名
基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管
1
作者
徐现刚
刘喆
崔得良
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期962-965,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 0 2 5 40 9)~~
文摘
采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而且还表现出良好的微波特性 ,其结果与能带理论的预言一致 ,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为 1.0 0和 1.0 6 ,击穿电压高达 15 V,电流放大增益截止频率超过 10 0
关键词
GAASSB
INP
MOCVD
双异质结晶体三极管
DHBT
Keywords
GaAsSb
InP
MOCVD
DHBT
分类号
TN323.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
热屏开槽对行波管阴极-热子组件热学性能的影响
被引量:
5
2
作者
翟亮
俞世吉
机构
中国科学院电子学研究所
中国科学院研究生院
出处
《科学技术与工程》
2011年第19期4464-4468,共5页
文摘
运用实验和ANSYS软件仿真相结合的方法,对阴极-热子组件内侧热屏开槽后整个组件的温度和热流进行了研究。结果表明:在内侧热屏上适当的开槽可以改善阴极-热子组件的热学性能,显著地减少热屏向底座方向上的热流。计算机仿真结果和实验测量数据基本吻合。
关键词
ANSYS软件
阴极-热子组件
热屏开槽
温度
热流
Keywords
ANSYS software cathode-heater combination thermal heat flux
分类号
TN323.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
AlN间隔层厚度对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的仿真研究
被引量:
1
3
作者
刘劭璠
张明兰
机构
河北工业大学电子信息工程学院
出处
《科技风》
2017年第8期205-208,共4页
基金
河北省自然科学基金资助项目(F2014202046)
文摘
二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。
关键词
HEMT
间隔层
迁移率
载流子浓度
仿真
Keywords
HEMT
Spacer layer
mobility
carreier' concentration
simulation
分类号
TN323.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管
徐现刚
刘喆
崔得良
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
2
热屏开槽对行波管阴极-热子组件热学性能的影响
翟亮
俞世吉
《科学技术与工程》
2011
5
下载PDF
职称材料
3
AlN间隔层厚度对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的仿真研究
刘劭璠
张明兰
《科技风》
2017
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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