晶闸管维持电流Ⅰ_H的研究

在原有理论的基础上，根据晶闸管的实际情况，经分析提出了具有实际应用价值的计算晶闸管维持电流ＩＨ的简化模型，并根据此模型和有关理论推导出了关于ＩＨ的计算公式，实验证明该公式与实际情况符合较好．

静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）

静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１ 模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。...

晶闸管整流装置的桥臂短路故障分析

本文分析了晶闸管整流装置的桥臂短路故障问题。分别就三相桥式可控及不可控整流电路的桥臂短路的物理现象和演变过程进行了详细的讨论。这些分析都通过计算机仿真进行了验证,并给出了一些有用的结论。

用B试剂反萃锗的工业试验

介绍了在硫酸体系中使用 P204+Yw—100协同萃取锗后,采用 B 试剂作反萃剂,C 试剂作沉锗剂的工业试验。结果表明,锗反萃率>95％,沉锗率>90％。水解后得到的滤饼经制浆洗涤、烘干或经洗涤、煅烧,可制得合格产品。

氢化非晶硅的低温输运

从低温跳跃电导模型出发,计算低温下的跳跃频率,热发射率及输运能级随温度变化,分析讨论了非晶硅热激电导的低温峰。认为输运机制的变化是氢化非晶硅热激电导低温峰T_M独立于起始温度T_o的主要原因,T_M相应于输运机制变化的温度。