氢化非晶硅的低温输运

从低温跳跃电导模型出发,计算低温下的跳跃频率,热发射率及输运能级随温度变化,分析讨论了非晶硅热激电导的低温峰。认为输运机制的变化是氢化非晶硅热激电导低温峰T_M独立于起始温度T_o的主要原因,T_M相应于输运机制变化的温度。