电力半导体模块及其工艺技术

回顾了电力半导体模块发展里程 ,指出了电力半导体模块今后发展的方向 ,描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了 IGBT模块的结构和工艺技术 ,提出了设计 IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。

制造高压整流管的新工艺

利用开管扩散方式，将元素Ｇａ分为低浓度、高浓度两段掺杂，在Ｎ型Ｓｉ的衬底上形成Ｐ区和Ｐ＾＋区用于整流管芯片的制作，能较好地协调元件阻断特性与通态特性的矛盾。

晶闸管挖槽法制造工艺

介绍一种挖槽法制造晶闸管新工艺,它具有简化制作工序、提高器件芯片成品率的特点,适合批量生产.

硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管

本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。

一种制造快速晶闸管的P型双质掺杂技术

阐述了受主杂质在Ｓｉ中的扩散行为，快速晶闸管制造中的Ｐ型区掺杂工艺设计原理、掺杂方法和杂质浓度分布，并给出了该项技术在工艺生产线上应用结果．通过实验和应用表明，该项技术具有先进性和可行性。

一种开管铝镓扩散工艺的研究

就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺杂工艺。

发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造

介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计、制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信、引信（引爆）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。

开管铝镓扩散的掺杂机制

针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术。

镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施

针对铝乳胶源涂布与气相Ｇａ杂质相结合的受主双质掺杂技术，分析了产生表面层缺陷的原因。

Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性

利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是制造快速晶闸管的一条新途径。

腐蚀挖槽和P、N型杂质一步掺杂制造晶闸管

本文介绍了腐蚀挖槽和硅中P、N型杂质一步扩散掺杂的晶闸管制造工艺,应用该技术提高了产品的性能/价格比。

新型KP50A螺栓型晶闸管氧化光刻版设计

设计了一种用于AA50A螺栓型晶闸管制造过程中的新型光刻版图。通过分析计算得到各有关结构参数及特性参数。经比较证明，本设计结构新颖，操作方便，对提高材料利用率及产品成品率，对降低工人劳动强度和提高工作效率，具有重大意义。

高温晶闸管的研究

本文探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,提高SCR最高工作结温,并使之尽量达到理论值的方法.

阳极短路GTO制造工艺的研究

阳极短路型门极可关断（ＧＴＯ）晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明，短路区的制作可以用先选择性扩散Ｎ＋层，然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制，以调节短路电阻，从而获得电特性的优化。

p,n型一掺杂的挖槽门极晶闸管制造法

提出采用ｐ，ｎ型杂质两面分别涂层一步扩散及挖槽门极的晶闸管制造工艺，有效地控制了门极解发特性参数，降低了器件通态电压，简化了工序，提高了新产品性能价值比。

大滚圈滚道的晶闸管中频淬火工艺

近年来,在我国发展起来的晶闸管中频设备,具有频率能在一定的范围内连续可调、噪声小、占地面积小等优点,其应用越来越广泛,但介绍晶闸管中频淬火工艺的资料还比较少见。我厂在QY8液压汽车起重机回转机构的大滚圈上采用了晶闸管中频淬火,经过反复试验,摸索出了大滚圈的晶闸管中频淬火工艺,收到了良好的效果。