一种制造快速晶闸管的P型双质掺杂技术

阐述了受主杂质在Ｓｉ中的扩散行为，快速晶闸管制造中的Ｐ型区掺杂工艺设计原理、掺杂方法和杂质浓度分布，并给出了该项技术在工艺生产线上应用结果．通过实验和应用表明，该项技术具有先进性和可行性。

开管铝镓扩散的掺杂机制

针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术。

Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性

利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函数分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验证明，Ｇａ的阶梯分布是制造快速晶闸管的一条新途径。

腐蚀挖槽和P、N型杂质一步掺杂制造晶闸管

本文介绍了腐蚀挖槽和硅中P、N型杂质一步扩散掺杂的晶闸管制造工艺,应用该技术提高了产品的性能/价格比。

高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究

鉴于现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，提出了受主双质掺杂新技术的研究，经工艺论证和对比实险，首先成功的研制成开管铝镓扩散法，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径。