一种开管铝镓扩散工艺的研究

就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地提高器件电参数一致性、综合性能和成品率，为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主掺杂工艺。

镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施

针对铝乳胶源涂布与气相Ｇａ杂质相结合的受主双质掺杂技术，分析了产生表面层缺陷的原因。

晶闸管铝镓闭管扩散工艺的计算机模拟

为了对晶闸管特性进行计算机模拟,有必要对其P区的杂质浓度分布建立准确而便于计算的模型。文中对形成P区二段式杂质分布的铝镓分步闭管扩散工艺进行了讨论。对较低浓度铝的最终分布着重考虑它在扩镓过程中的再分布,而对高浓度镓的最终分布则着重考虑扩散系数的变化。与实验样品的扩展电阻探针测试数据进行比较后表明,本工作所用模型与实验结果有较好的吻合,适宜于在实际工艺过程中使用。

“全扩散-镀镍”工艺生产晶闸管管芯

“全扩散-镀镍”工艺具有节省黄金、技术与经济性较好的优点,国内已多用于功率整流二极管管芯的生产中.本文介绍了采用该工艺生产晶闸管管芯的工艺设计、技术情况.成果已获安徽省1987年优秀科技咨询项目二等奖.