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MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究
被引量:
3
1
作者
李学宁
唐茂成
+2 位作者
李肇基
李原
刘玉书
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期63-66,共4页
本文对MCT的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM—Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明:获得了优化的器件设计和研制条件。本...
本文对MCT的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM—Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明:获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构DOFM-CT器件,其电流可控能力达134A/cm2。
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关键词
三重扩散
MOS控制晶闸管
工艺
场效应器件
下载PDF
职称材料
题名
MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究
被引量:
3
1
作者
李学宁
唐茂成
李肇基
李原
刘玉书
机构
成都电子科技大学微电子所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期63-66,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文对MCT的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过SUPREM—Ⅲ计算机工艺仿真,获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明:获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构DOFM-CT器件,其电流可控能力达134A/cm2。
关键词
三重扩散
MOS控制晶闸管
工艺
场效应器件
Keywords
Triple diffusion ,MOS-controlled thyristor ,Process simulation
分类号
TN342.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究
李学宁
唐茂成
李肇基
李原
刘玉书
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
3
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