高速BiCMOS运算跨导放大器的设计

基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中。电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现,由3.3 V单电源供电,经优化设计后,实现了2.1 GHz的单位增益带宽,直流开环增益61 dB,相位裕度50°,功耗16 mW,输出摆幅达到2 V;在2 pF的负载电容下,建立时间小于0.6 ns,转换速率1 200 V/μs。该放大器完全符合设计要求的性能指标。

O_2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响

采用低压MOCVD方法,在(0001)Al_2O_3衬底上沉积了ZnO薄膜。研究了Ⅵ族源O_2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响。增加O_2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜。同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小。PL谱分析表明:随O_2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高。这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量。