700V 4H-SiC晶闸管开通特性的模拟研究(英文)

通过商用半导体模拟器MEDICI对700 V 4H-SiC晶闸管开通特性进行了模拟研究。模拟结果表明阳极电压小于100 V时,开通过程符合扩散模型,电压更高时,开通时间随阳极电压升高而迅速下降,符合场开通机制。不同于Si及GaAs晶闸管,SiC晶闸管p型耐压层中浅能级杂质Al使得其开通时间随温度的升高而降低。较厚的基区使得电导调制效应只发生在发射区与基区边界一个范围之内,随着温度的升高,其余部分的载流子数目指数增加,压降指数减小。开通时间随着门极触发电流的加大而逐渐缩短,减小到一定程度时,减小速度明显变缓。

80位嵌入式超越函数运算器的设计

基于移位加的CORDIC算法是最简单超越函数硬件实现方法。本文介绍了这种算法的工作方式和计算超越函数的具体过程,设计了一个80位嵌入式超越函数运算器,并从该处理器的设计构思和系统结构到处理器内部各单元的设计进行了比较详尽的阐述,最后给出了对该设计进行软件仿真的结果。

双向可控硅不同象限触发方式可靠性探究

针对双向可控硅在不同触发象限条件下的触发特性进行了实验研究,考察了可控硅在上述条件下的不同触发特性,明确了各种象限触发之间的特性差异,并重点通过对上述各种触发情况进行pspice建模,解释了实验中所观察到的可控硅在不同象限情况下存在触发特性差异的原因。为后续的不同象限触发对于可控硅的使用可靠性和寿命影响的研究提供了理论和试验依据。

北京市天润中电高压电子有限公司

简介 北京市天润中电高压电子有限公司（原北京市天润高压电子器件厂，简称“天润中电”）是致力于高压整流元器件（高压硅堆、高压二极管、高压整流桥、高压电容等）系列产品研发、生产和销售的专业化企业，产品已广泛应用于航天、航空、钢铁、石油、化工、交通、通信、医疗、环保、电力、电子、仪器仪表、家用电器等领域。

100A／2500V吸收二极管的研制

本文针对ＧＴＯ吸收电路对快恢复二极管的要求，从快速整流二极管的理论出发，采用Ｎ型中照硅单晶材料，选择Ｐ￣＋ＩＮ￣＋型结构设计，用扩铂工艺控制少子寿命，通过多次的工艺改进和应用试验，重点探讨了二极管的正反向特性间的折衷关系，研制成功了１００Ａ／２５００Ｖ吸收二极管，该元件应用于ＧＴＯ交直交电力机车的研究，取得了满意的结果。

如何用万用表测试单向可控硅

可控硅又叫晶体闸流管,在强电和弱电领域都有极为广泛的应用。其中在弱电领域中应用的可控硅功率比较小,外形像三极管,是电子爱好者常遇到的元件之一。正确测试可控硅是电子爱好者必须具备的基本技能。如何来测试可控硅呢?由于万用表是电子爱好者必配工具,这里介绍如何用万用表来测试单向可控硅。单向可控硅的测试包括两个方面:一是极性的判定;二是触发特性的测试。

析塑封高压硅堆的国内外市场

塑封高压硅堆是集成电路无法替代的特种专用分立器体,是电子线路和电子设备的重要组成元器件之一。主要用于各种彩色、黑白电视机、计算机终端显示器、微波炉、汽车点火器、X射线仪、静电复印机以及部分民用军用高压整流电子仪器仪表。

技术进步与引进技术的消化吸收

深刻阐述了如何做好塑封高压硅堆引进技术的消化吸收，作为技术进步的手段，以提高生产力的科技含量，拓宽新品，改进质量，生产要素的最佳组合，实现知识价值的增殖，形成新的生产力，最终转化为企业经济效益，并从系统论的角度，提出了“瓶颈现象”的制约因素及其解决办法，具有普遍意义。