光刻机超精密工件台研究

针对步进扫描投影型光刻机超精密工件台开展研究熏所搭建的超精密气浮运动试验台采用气浮直线导轨支撑、直线电机驱动、直线光栅尺反馈组成大行程直线运动系统,其上叠加洛仑兹电机驱动的气浮微动台,提供对直线电机运动的精度补偿,由双频激光干涉仪提供粗、精动运动系统的超精密位置检测和反馈,两套直线运动系统可研究同步扫描运动,并可灵活地组成多种x-y超精密运动系统。介绍了基于该试验台进行的超精密运动控制试验研究。

光学参数配置对ArF光刻性能影响研究

针对分辨力100nm的ArF光刻机,在环形照明和四极照明下,对4种曝光图形结构光刻性能进行了仿真研究。仿真结果表明,如果光刻物镜在加工装调后的光波像差为6nm,杂散光为2%,工件台运动标准偏差为8nm,曝光量控制在10%,CD≤±10%CD,利用四级照明,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5μm)实现满足器件要求的100nm密集线条、半密集线条的光刻成像。当曝光剂量更精确控制到7%,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5μm)实现满足器件要求的100nm孤立线条的光刻成像。

大型整流设备中硅管的动态自动检测

本文介绍了用微机对大型整流设备中硅整流器件的动态检测。解述了器件信号的采集方法和电路设计,以及硬件和软件采取的抗干扰措施。

JLY-D型整流元件均流测试仪的研究

介绍一种以单片机为核心，采用磁位计作为电流传感器，检测整流元件的均流测试仪。对应用磁伴计检测电流的几种方法作了详细分析，给出了一种提高电流测量精度的新方法。

光学光刻技术向纳米制造挺进

概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。

浸没式光刻的优势和可行性(英文)

浸没式光刻通过高折射率的液体充入透镜底部和片子之间的空间使光学系统的数值孔径具有显著的优势。在193nm曝光系统中,水(折射率为1.44)被选作最佳的浸入液体。通过成像模拟,现已证明ArF穴193nm雪浸没式光刻(NA=1.05～1.23)与F2穴157nm雪干法穴NA=0.85～0.93雪光刻具有几乎相同的成像性能。结合流体力学和热模拟结果,讨论了ArF浸没式曝光设备的优势和可行性。

65nm技术节点套刻控制的经济价值(英文)

国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法不确定、CMP工艺的坚固性以及器件的相互关系。系统的根源引起的图形位置误差(PPE)分析在摩托罗拉公司的DanNoble中心已得到确定,即目前传统的框中框式套刻标记在所有的三种类型引起了缺陷。一种先进的利用成像标记的建议是基于栅格型且能被分割成类似于器件图形的特征图形。在采用193nm光刻设备进行多浅沟道隔离图形套刻的情况下,这种标记显示出将总的测量方法不确定因素减少了40%。

浅谈高压硅整流设备二次高压的测量及高压表校准方法

本文通过对高压硅整流设备二次高压测量的原理及其波形的分析，并对几种测量仪表的原理进行了讨论，得出选用磁电系仪表来测量二次高压的结论。由实验数据提出校表的必要性，并针对不同负载情况下，根据各负载二次高压波形分析及数学计算，论证出校表的具体方法。

照明光瞳非对称性对光刻成像质量的影响

研究了照明光瞳非对称性对光刻成像质量的影响。通过PROLITH软件计算了环形与四极照明条件下,光瞳非对称性对图形位置偏移量、曝光图形内水平线条与垂直线条的宽度差、曝光图形上密集线条与孤立线条之间线宽偏差的影响。研究结果表明,光瞳非对称性主要影响曝光图形的位置偏移量,光瞳非对称性引起的图形位置偏移量与光瞳非对称性的大小成线性关系。根据套刻精度的误差分配原则,计算得到光瞳非对称性的容限为5%。