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具有高量子效率、低暗电流、高可靠性的平面InGaAs PIN光电二极管
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作者 李保根 徐之韬 赵先明 《光通信研究》 1994年第1期124-129,共6页
本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系,为器件设计提供了依据,并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面InGaAsPIN光电二极管,量子效率高达90%以上,暗电流为100pA。在-1... 本文详细讨论了量子效率和响应时间两个重要参数与器件结构参数的关系,为器件设计提供了依据,并提出了器件的设计方案。根据设计方案研制出的平面InGaAsPIN光电二极管,量子效率高达90%以上,暗电流为100pA。在-10V偏置下,180°C时MTTF大于3000h,230°C时MTTF为500h。 展开更多
关键词 光电二极管 量子效率 暗电流
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