硅光电器件两种辐照效应的比较

比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。

探测光功率对半导体全光波长变换器性能的影响分析

根据半导体光放大器的高频滤波效应，利用动态载流子恢复时间的概念，分析了基于半导体光放大器交叉增益调制的全光波长变换器中变换信号的波形、啁啾与探测光功率的关系．理论计算表明，在保持变换信号消光比相同的情况下，在大的探测光功率下，变换信号的波形将变好，并且啁啾对变换信号码间干扰的影响会减小，理论很好地解释了文献中的实验结果．

基于饱和滤波效应的半导体光放大器高速调制特性分析

本文分析了半导体光放大器的高频滤波效应，给出了具有高速响应的半导体光放大器各参量的优化设计方法，提出了动态载流子恢复时间的概念。

半导体超辐射发光管自发发射因子的估算

自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数，在以往对超辐射发光管的特性分析，特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时，多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子，由于两者的光输出特性不同，这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱，而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论，提出了平均自发发射因子的概念，并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。

入射光强和背景光对二维光电位置敏感器件干扰的影响

光电位置敏感器件（ＰＳＤ）是一种可直接对其光敏面上的光斑位置进行检测的光电器件，可构成非接触高精度动态测量系统。光电位置敏感器件在使用中的关键问题是如何定量确定入射光强的大小和克服各种背景光干扰，以提高检测的精度和可靠性。根据光电位置敏感器件的原理和光点位置方程，找到有背景光作用于光电位置敏感器件上位置输出的关系及背景光导致的位置误差的实验数据，同时研究入射光强对光电位置敏感器件位置输出误差最小的定量关系。

室温Cd_(x)Zn_(1-x)Te/ZnTe多量子阱光学双稳态的研究

研制了室温ＣｄｘＺｎ１－ｘＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱法布里－珀罗（Ｆ－Ｐ）腔光双稳器件，并在该器件上观察到皮秒量级的室温激子光双稳。研究结果表明，ＣｄｘＺｎ１－ｘＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱光双稳器件的光双稳阈值和对比度分别为３６３ｋＷ／ｃｍ２和４１。根据ＣｄｘＺｎ１－ｘＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的吸收谱和激子非线性理论，归结ＣｄｘＺｎ１－ｘＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱光双稳的主要非线性机理为激子的饱和吸收。