CaF_2∶Mn热释光材料的研究

研究了ＣａＦ２∶Ｍｎ热释光材料的制备方法和发光曲线、剂量响应曲线、响应的时间衰退特性、剂量率响应、能量响应等剂量学特性。结果表明，ＣａＦ２∶Ｍｎ是一种理想的热释光材料。

方酸菁功能材料修饰纳米晶TiO_2薄膜电极的光电转换性能研究

考察了三种方酸菁染料修饰纳米晶ＴｉＯ２薄膜电极表面应用于光电化学太阳能电池进行光电转换的情况，发现它们的光电化学性能参数按照Ｓｑ３＞Ｓｑ２＞Ｓｑ１的顺序，随着染料在纳米晶ＴｉＯ２上吸附力的增强而提高。其中，Ｓｑ３的光电转换效率为２．１７％，它在６５０ｎｍ处的最高单色光光电流效率ＩＰＣＥ值达到６．２％，表明方酸菁是一类优良的光电转换功能材料。

聚合方法对聚苯胺导电性能的影响

采用溶液聚合与乳液聚合两种方法分别合成了导电高分子材料聚苯胺（ＰＡｎ），并对其性能进行了比较研究。实验结果表明：不同的聚合方法影响聚合物的产率、溶解度、分子量、导电性、环境稳定性以及微观结构等性能。

光电导聚苯胺/染料共聚材料性能的研究

以直接耐墨染料、均苯四酸酐及聚苯胺为原料，通过缩聚反应获得了感光染料／聚苯胺嵌段共聚的光电导聚苯胺分子结构。该聚合物具有优良的溶解性能和成膜能力，电导率达到１０－１Ｓ／ｃｍ。元素分析该聚合物的Ｎ∶Ｓ摩尔比理论值与实测值相吻合，红外谱图证实了所合成产物的结构，紫外吸收分析表明用直接耐墨Ｇ与聚苯胺段共聚后在可见光区、近红外区具有较强的吸收，大幅度提高了其光电导性能。热失重研究表明聚苯胺用直接耐墨Ｇ嵌段共聚后热稳定性较聚苯胺提高１００℃左右，电子透射电镜显示该分子呈无定型结构。

非晶硅光敏材料的高电阻率化研究

本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料，通过微量掺Ｂ、Ｏ，控制ａＳｉ∶Ｈ薄膜中的ＳｉＨ２和ＳｉＨ基团的组成比，有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化，其暗电阻率ρｄ≥１０１３Ω·ｃｍ，在可见光至近红外光范围内，具有很高的单色光电导增益，σｐｈ／σｄ≥１０３。分析了ａＳｉ∶Ｈ［Ｂ、Ｏ］材料ＩＲ谱的特征，说明了氧原子和硅氢基团对微结构的影响及其在支配非晶硅光电性能方面的重要作用。

MLEC GaSb单晶的光致发光谱

ＭＬＥＣＧａＳｂ单晶的光致发光谱郑安生，邓志杰，武希康，屠海令，钱佑华（北京有色金属研究总院１０００８８）（复旦大学）关键词：ＭＬＥＣ，ＧａＳｂ，光致发光谱（一）前言由于ＧａＳｂ单晶是制备２～４μｍ波段光电器件￣［１、２］以及ＧａＡｓ／ＧａＳ６高效迭...

半导体光电子材料中的缺陷

介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .

ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ）法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一．本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍ ａ

用作电子、电光和声光器件的大单晶的研制

概括地介绍了威士汀豪森研完和发展中心生长大块晶体的工作。叙述了用于电子、电光和声光器件的不同系统电子材料的研究成果。对卤化汞、磺酸盐类,各种硫属化合物以及硅和砷化镓晶体的生长作了评述。

用水平布里兹曼法生长GaSb单晶

GaSb是制作光电器件的重要衬底材料。在GaSb上外延生长三元或四元锑化物（如 AlGaSb、InGaAsSb或AlGaAsSb等）,其外延层晶格匹配良好,制成激光器介质损耗小、失散小、功率大,能很好地与氟化物玻璃光纤相匹配,可用于长距离光纤通讯。因此,GaSb是发展新一代光纤通讯与高速电子器件的基础材料。目前,生长GaSb单晶多用双坩埚法、氢气还原法与LEC法等直拉工艺。采用这些工艺易于获得大型锭条,但因GaSb熔点低、过冷度大且极易氧化,不易提高产品质量,产品位错密度通常在10~3～10~4cm^(-2)范围内。为此人们尝试以水平法生长GaSb单晶。