Ga掺杂ZnO微米棒紫外光探测器的制备与特性

为了获得高性能和低成本的氧化锌(ZnO)基紫外光探测器,使用Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)作为光敏层,采用水热法合成了不同Ga掺杂浓度ZnO∶Ga微米棒,Ga与Zn的原子比分别为0%(未掺杂),0.5%,1%,2%和4%。使用X射线衍射仪(XRD)测试所有样品的晶体结构,发现它们都为六方纤锌矿结构的ZnO。采用扫描电子显微镜(SEM)观察它们的形貌,都呈现棒状结构。进一步,制备叉指图案氟掺杂的氧化锡(FTO)导电玻璃基底,将不同Ga掺杂浓度ZnO∶Ga微米棒分别涂覆在FTO上,得到5种简单结构的紫外光探测器,系统研究了它们的性能。结果表明:所有ZnO∶Ga微米棒紫外光探测器对365 nm紫外光表现出良好的响应。其中,1%Ga掺杂ZnO∶Ga微米棒紫外光探测器性能最佳,经计算,在365 nm波长处,它的响应度、增益和比探测率分别为13.13 A/W(5 V),44.63(5 V),3.31×1012Jones,响应时间和衰减时间分别为12.3 s和36.4 s。说明在ZnO微米棒中进行合适Ga掺杂能有效提高紫外光探测器的性能。该研究有助于基于ZnO∶Ga材料的紫外光探测器及相关器件发展。

光电忆阻器用于突触仿生领域的研究进展

存算分离的传统计算模式已经无法满足信息爆炸时代对大数据处理的需求,因此,基于类神经网络的神经形态计算被广泛应用于人工智能的研究。随着集成技术的进步,新形态硬件系统开始进入大众视野,忆阻器作为新兴的除电容、电感和电阻之外的第四种基本电路元件,综合了光电子学、半导体科学等多领域的优点,能够为神经形态计算硬件化提供新的思路。本文首先简述了光电忆阻器件的基本结构、机制和脉冲时间依赖可塑性等类生物突触的功能;其次介绍了四种光电型和全光型忆阻器件;然后综述了光电忆阻器件的类脑特性,如模拟巴甫洛夫经典实验和味觉厌恶过程的联想式学习、习惯化和敏化模式的非联想式学习、具有“学习-遗忘-再学习”特征的经验学习,以及结合人工神经网络实现图像记忆、处理和识别等仿生功能;最后总结了光电忆阻器件在突触仿生领域所面临的挑战,并展望其在神经形态计算方向的广阔应用前景。

利用热敏电阻精确测量DFB激光器动态结温度

半导体激光器结温度的测量对于其温度控制和特性研究非常重要。基于对激光器的结构和热电等效模型的研究,建立半导体激光器组件中激光器芯片和热敏电阻的数学模型,利用热敏电阻实时监测激光器在热动态过程中的结温度。以气体吸收谱线的波长验证了模型的正确性,实现激光器结温度预测不确定度约为0.01 K。还利用此方法测量了电流调谐过程中动态结温度,在一个锯齿电流扫描周期内结温度变化量为0.044 K。基于热敏电阻预测激光器结温度无需附加额外测量装置,其精度不受环境温度和TEC电流的影响,适合于原位、在线激光系统,也可应用于激光器组件热学性能的研究。

由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态

对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为负载器件 ,以光电双基区晶体管 (PDUBAT)型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强 -输入光强光学双稳态特性曲线 ,并对实验结果进行了分析讨论。

一种有效的双矢量测试BIST实现方案

文章提出了一种简单有效的双矢量测试BIST实现方案,其硬件主要由反馈网络可编程且种子可重置的LF鄄SR和映射逻辑两部分构成。给出了一种全新的LFSR最优种子及其反馈多项式组合求取算法,该算法具有计算简单且容易实现的特点。最后,使用这种BIST方案实现了SoC中互联总线间串扰故障的激励检测,证明了该方案在计算量和硬件开销方面的优越性。

光敏电阻的特性及应用研究

介绍了光敏电阻的基本原理,通过搭建实验电路,对光敏电阻的主要参数进行测量和分析。通过对光敏电阻性能的检测,结合变换电路分析光敏电阻在电路应用中电压或电流应满足的条件,为光敏电阻的电路应用提供参考。

光敏电阻延时特性的验证及光强对其影响的探究

验证了光敏电阻的延时特性,并研究了光强对光敏电阻响应时间的影响.实验表明,光敏电阻存在延时特性,光强改变前的光照强度以及光强改变量都会影响光敏电阻的响应时间.光强初始值越大,响应时间越短;光强改变量越大,响应时间越短.

由OLED和复合光探测器构成的新型光耦合器

对以Al/Alq3 /TPD/ITO/玻璃结构的有机 /聚合物发光二极管 (OLED)为发光器件 ,以光电二极管和双极晶体管构成的复合光探测器为光接收器件组成的光耦合器进行了实验研究。通过改变OLED上的偏压 ,获得光耦合器输出特性相应的变化。对实验结果进行了分析讨论。

红外火灾报警装置

报道了利用红外光敏探测技术研制的远距离、大空间红外火灾报警装置。介绍了该装置的原理、结构、试验结果及性能，讨论了其中的关键问题及其解决的技术方案。

制备气敏膜的新方法及膜的光学特性

根据气敏光学特性的要求，用可控气压喷涂和高温处理的新方法，制成ＳｎＯ２膜。膜面平整均匀，晶粒结构细密，缺陷较少，其光学特性比其它方法制成的薄膜好，使用的设备及工艺简单。

扫描探测系统的信号检测问题

扫描探测系统属于对比度检测系统。它将相邻两瞬时所检测到的信号差值作为有效信号值,系统噪声则是探测器噪声。背景与目标一样是作为检测对象考虑的,而不应作为噪声源考虑。在有像差存在的情况下,目标像点会扩展。对理想点目标而言,当实际弥散像点面积超过探测器单元面积时,仍应按点目标计算入射能量而不应混同于扩展源。

光敏电阻特性的研究

通过对用光电转换测量仪所测出的光敏电阻特性的一些数据、图像的研究 ,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性和光谱特性。

光敏电阻器原理及检测方法

由于不同材料的光敏电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不同。硫化铅的使用频率比硫化镉高得多,但多数光敏电阻的时延都比较大,所以,其不能用在要求快速响应的场合。根据电路的具体要求,选择暗阻、亮阻合适的光敏电阻,一般选择暗电阻大的光敏电阻器,并且暗阻和亮阻相差越大越好。

我国红外探测器材料的研制概况

在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,以资比较。

光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管 (BNRT)进行了光敏化 ,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件———光电双向负阻晶体管 (PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程 ;测量分析了其I V特性与光强和栅极电压的关系 ;

非线性光耦合器及其响应保持功能

将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起 ,其间实现电隔离 ,构成一种新型光耦合器。由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性 ,这种非线性光耦合器具有响应保持功能。文章以PDUBAT为例从实验方面证实了响应保持功能的存在 。

光敏电阻特性的实验研究

简要介绍了光敏电阻的工作原理及基本特性,用实验方法研究了光敏电阻的伏安特性、光照特性、光谱特性,光照强度与光电流之间以及入射光波长与亮电阻之间的关系。实验结果表明,在光照强度较弱时,光敏电阻的电压与电流满足线性关系,在光照强度较强时,电压增大的同时,电流增大的更快;在一定工作电压下,当受到一定波长范围的光照时,对于同一波长的入射光,随着光照强度的增强,光电流在增大,亮电阻在减小;对于不同波长的入射光,在相同光照强度下,随着入射光波长的增大,光电流先增大,后减小,而亮电阻先减小,后增大。表明光敏电阻对光具有选择性。

GaAs探测器与放大电路的单片集成

本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。

InAsPSb/InAs中红外光电探测器

本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz^(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).