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Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究 被引量：5
1
作者 张国栋 孙维国 倪永平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第1期19-22,共4页
利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简... 利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简化模型,采用这一模型的结深计算值与实测结果相符。 展开更多
关键词 离子注入 INSB 平面结 光电流
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双离子注入增强退火效应的研究
2
作者 朱锦良 程东方 +1 位作者 王良 蔡仁康 《应用科学学报》 CAS CSCD 1989年第1期57-60,共4页
本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.
关键词 双离子注入 增强退火效应 氩 硼
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光电二极管的低温制作法
3
作者 季安 《黑龙江电子技术》 1989年第4期37-39,共3页
关键词 光电二极管 低温 制作
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