硫化锑晶体管制备及其光电突触特性研究

采用快速热蒸发的方法制备薄膜,制作晶体管并模拟光、电信号刺激下的突触行为。研究表明,器件具有光、电信号调制的栅控能力,还可以模拟双脉冲抑制、长时程增强、巴普洛夫条件反射及遗忘过程、尖峰脉冲时间依赖可塑性等突触行为。

光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析

考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。

数字光电耦合器隔离性能及动态特性测试仪

针对光电耦合器应用过程中对其隔离性能及动态特性的测试需求,使用ADuc841微控制器设计了一种数字光电耦合器快速测试仪。介绍了基于DC-DC变换器输出高电压测试光电耦合器的隔离性能和使用变频、变宽的脉冲串测试其动态特性的基本原理,给出了测试仪的硬件组成和软件实现方法。该测试仪已用于I/O卡的生产过程,表明该测试仪能够快速测试光耦的隔离电压及其动态特性。

光电双基区晶体管中的光控电流开关效应

光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。

高灵敏度穿通型异质结光电晶体管

报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。

有机光敏场效应晶体管研究进展

有机半导体材料具有轻质、廉价以及可与柔性衬底相兼容等诸多优点而广泛应用于光电子领域。基于光诱导效应的光敏场效应晶体管的跨导可以用来放大光电流,是实现全有机图像传感器的很有前景的器件,其应用广泛。简单介绍了有机光敏场效应晶体管的结构、工作原理及所用材料方面的国内外最新研究进展。

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异 ,同时两个NPN管电流放大系数相差较大 ,最终导致器件负阻现象的出现 .文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟 ,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论 ,初步建立了器件模型 .

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。

光电负阻晶体管 PNEGIT 的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．

吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响

本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间 ,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式 .结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间 ,在计算中应该加以考虑 .

基于光电三极管的激光监听实验的研究

本文在综合型设计性实验的基础上,设计一种基于光电三极管的激光监听装置的模型,简要地介绍其实现方法,并对影响监听效果的因素进行分析。

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 。

光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 .

光致负阻双极型光电三极管2×8阵列设计

探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了２×８阵列整体设计的初步方案及试验结果。

高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用

我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。

基于等离激元热电子效应的光电晶体管制备及其特性

为了解决典型宽禁带半导体光电探测器件的工作波段限制材料禁带宽度的问题,对基于表面等离激元热电子效应的光电晶体管进行了制备和光电性能研究,提出一种采用重掺杂的硅片作为背栅极、二氧化硅(SiO_2)氧化层作为绝缘层,且能利用等离激元热电子效应的光电晶体管,有望实现响应光谱的调控。利用热退火方法在绝缘层表面修饰金纳米颗粒,并结合射频溅射、物理掩模和真空热蒸镀的方法实现了热电子效应铟镓锌氧化物(IGZO)光电晶体管。器件的光学和电学性能测试结果表明:修饰金纳米颗粒的光电晶体管在658nm红光入射下产生明显的光电响应,外加90V栅极偏压时,光电流提升约为2.2倍。金纳米颗粒修饰的等离激元热电子结构有效调控了该型晶体管的响应光谱范围,不受材料禁带宽度的限制,而且晶体管的背栅调控进一步放大光电流,提高了器件的量子效率。

穿通型光电晶体管的直流特性测试

在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３～１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光电增益为７１１３，４０～５０ｎＷ光功率时光电增益为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。

注入光敏三极管输出特性再研究

详细报道了在注入光敏三极管的研究工作中发现的几个较有意义的实验结果，它为研制出使用更为方便、特性更好的间接耦合光电三极管提供了很有价值的参考资料，也有助于机理问题的最终解决。

电力半导体功率器件驱动电路设计

本文详细介绍了现代较为流行的电力半导体功率器件的驱动电路设计的主要原则及一些典型电路。

光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制

论述了某光敏晶体管CE极之间漏电流变大的失效机理。通过对器件电性能测试、结构解剖、扫描电镜检查和能谱分析,证实了银离子迁移是导致该光敏晶体管CE极漏电变大的主要失效机理。从理论上阐述了银离子迁移的环境条件,从生产和使用两个方面提出了避免或减少银离子迁移的控制措施。