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用误差信号调制的控温器
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作者 Lee,HS 袁凤 《国外计量》 1991年第1期 33-34,共2页
关键词 误差信号 调制 控温器 激光二极管
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高可靠1.3μm InGaAsP/InP激光二极管
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作者 吴振英 吴桐 +4 位作者 胡常炎 李蓉萍 刘自力 王淑琴 赵俊英 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期63-67,共5页
用一次液相外延及自对准制管技术精心制作出了可靠性很高的脊形波导(RWG)激光器。其阈值电流的一致性好、远场特性好,用标准单模光纤耦合功率Pf(Ith+20mA)的典型值为1.5mW。它的制作工艺用了自对准技术使得工艺... 用一次液相外延及自对准制管技术精心制作出了可靠性很高的脊形波导(RWG)激光器。其阈值电流的一致性好、远场特性好,用标准单模光纤耦合功率Pf(Ith+20mA)的典型值为1.5mW。它的制作工艺用了自对准技术使得工艺较为简单,重复性好、成品率高。由于只用一次液相外延且在工艺制作中没有破坏有源层,它具有比掩埋型(BH)激光器高得多的可靠性,经过加速老化寿命试验,得到了环境温度为25℃,100mA、CW条件下的寿命(MTTF)为1.03x10~6h,其退化激活能Ea=0.543eV。 展开更多
关键词 激光二极管 液相外延 半导体技术 激光器
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2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
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作者 李秉臣 彭晔 朱洪亮 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期289-292,共4页
对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对AuPtTiInAsp+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)MQWnInP和AuPtTip+-InGaAs(掺Zn>1×101... 对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对AuPtTiInAsp+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)MQWnInP和AuPtTip+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)MQWnInP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4。 展开更多
关键词 能带工程 串联电阻 量子阱激光器 欧姆接触电极
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