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V型特性PTC材料的复阻抗解析
被引量:
8
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作者
王德君
邱军
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桂治轮
李龙土
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期53-57,共5页
采用复阻抗解析法研究了V型特性PTC材料(Sr0.45Pb0.55)TiO3的晶粒和晶界的电学性能.结果表明,V型PTC效应来源于材料的晶界,V型PTC效应是一种晶界效应.
关键词
复阻抗
热敏电阻
V型
氧化钛陶瓷
陶瓷
下载PDF
职称材料
题名
V型特性PTC材料的复阻抗解析
被引量:
8
1
作者
王德君
邱军
桂治轮
李龙土
机构
清华大学材料科学与工程系
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期53-57,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用复阻抗解析法研究了V型特性PTC材料(Sr0.45Pb0.55)TiO3的晶粒和晶界的电学性能.结果表明,V型PTC效应来源于材料的晶界,V型PTC效应是一种晶界效应.
关键词
复阻抗
热敏电阻
V型
氧化钛陶瓷
陶瓷
Keywords
strontium_lead titanate, positive temperature coefficient resistor (PTCR), V-type PTC materials, grain, grain boundary, complex impedance
分类号
TN370.48 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
V型特性PTC材料的复阻抗解析
王德君
邱军
桂治轮
李龙土
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
8
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