有机PTCR材料的辐射改性研究

介绍以高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ） 为基材， 碳黑、二氧化钛（ＴｉＯ２） 为导电填料的有机ＰＴＣＲ材料的制备工艺， 采用γ－６０Ｃｏ 源与电子加速器两种辐射源， 对有机ＰＴＣＲ材料进行辐射改性，

生产PTC热敏电阻用的新原料

研究了以工业生产中间产物偏钛酸为原料生产ＰＴＣ热敏电阻的一些问题。主要研究偏钛酸作为生产ＰＴＣ热敏电阻原料的适宜煅烧温度、原材料的预磨情况等对合成瓷料性能的影响。结果表明：瓷料半导化的条件与偏钛酸的煅烧温度及原料预磨情况密切相关。在低于８００℃的一定温度范围内，煅烧经预先球磨的偏铁酸或在８００℃以上直接煅烧，均可实现瓷料的半导化。

溶胶半导化工艺制备(Sr,Pb)TiO_3系热敏电阻材料

用溶胶－凝胶法制取了钇（Ｙ）掺杂剂溶胶。利用Ｙ溶胶添加剂对钛酸锶铅Ｖ型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较，制备了具有不同含量Ｙ溶胶添加剂及Ｙ２Ｏ３固相氧化物的（Ｓｒ０．５，Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品。实验结果表明，Ｙ溶胶作为半导化添加剂优于Ｙ２Ｏ３固相氧化物，它能改善（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系陶瓷的各项性能。通过Ｙ溶胶添加剂所制备的（Ｓｒ０．５，Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品的最小电阻率为２．９０×１０２Ω·ｃｍ，其Ｙ溶胶引入量ｒ（Ｙ）为０．４５％。

突变型PTC元件电阻温度系数的测试

目前突变型ＰＴＣ元件电阻温度系数的测量方法各种各样，因此测试结果缺乏唯一性和可比性。根据国际和国家标准对电阻温度系数的定义，结合ＰＴＣ材料的生产和使用的实际情况，提出了一种较为可行的测试方法。

一种具有V形阻温特性的PTC材料

本文介绍一种具有V形电阻温度特性的钙钛矿型(ABO_3)结构的半导瓷材料(简称为V-PTC材料)。这种材料在居里温度以下,具有与NTC热敏电阻相当的电阻温度系数(负值),而在居里温度以上,又具有标准的PTC特性。其制造方法有两种:Yb_2O_3掺杂法和SrPbTiO_3主晶相法。该材料可用于制作具有抑制电源冲击电流和异常过电流保护双重功能的元件,应用于电源电路中。

摩托车用高性能PTCR发热元件的研制

利用国产化的原材料和常规的ＰＴＣ陶瓷生产工艺，制备了适宜于摩托车用的ＰＴＣ陶瓷发热元件，该元件的居里温度Ｔｃ≈１１０℃、室温电阻率ρ２５℃≈２８Ω·ｃｍ、电阻温度系数α≈１６．０／％℃－１、电阻突跳度Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ＞１０５、表面温度Ｔｓｕｆ＝１３５±５℃；且有良好的耐电流和稳定性。

低阻大功率PTC热敏电阻陶瓷材料

据美国专利4 642 136报导,一种常温下具有低电阻率(10^(-3)Ω·cm)、高密度的PTC热敏陶瓷材料,适合于制备大功率元件。它是以V_2O_3为基的氧化物系陶瓷,所用的掺杂剂除了Cr_2O_3外,还可用Al_2O_3或者SnO_2,掺杂量约占总重量的(1～25)％。