H_2S气敏材料研究进展

本文综述了固体电解质、氧化物半导体（体材、厚膜、薄膜）型H2S气敏材料的研究进展及其应用．特别介绍了常温薄膜型H2S气敏材料的最新研究动态．

Ce掺杂对SnO_2薄膜电学及气敏性能的影响

以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ、（ＮＨ４）３Ｃｅ（ＮＯ３）６为原料，无水乙醇为溶剂，采用溶胶凝胶工艺制备了纯ＳｎＯ２及ＳｎＯ２∶Ｃｅ薄膜。研究了ＳｎＯ２∶Ｃｅ薄膜的热分解晶化过程和Ｃｅ掺杂对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响，发现ＳｎＯ２∶Ｃｅ薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能。

SnO_2气敏元件灵敏度及选择性的复阻抗分析

运用复阻抗谱方法，在不同浓度乙醇与汽油气体中，测试SnO2厚膜气敏元件的电抗-频率关系曲线，由电抗的变化来标定元件的灵敏度．与以往的测试采用直流电参量标定灵敏度相比，复阻抗测试不仅提高了元件的灵敏度，而且显著改善了选择性．该结果表明复阻抗测试不仅反映元件在气体吸附或解吸时晶粒间界处晶界电阻的变化，也反映了晶界电容的变化，因而更能体现气敏机制的本质．

金属氧化物半导体气敏传感器的研究和开发进展

综述了近期国内外金属氧化物半导体气教传感器的研究和开发进展；阐述了半导体气敏材料的气敏作用及机理；展望了今后半导体气敏传感器技术的发展趋向。