硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展

综述当前ＧｅＳｉ／Ｓｉ、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ、ＰｔＳｉ 和ＧａＮ 光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术—分子束外延（ＭＢＥ） 制备的ＧｅＳｉ／Ｓｉ 等人工超晶格材料倍受关注，硅基异质结量子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。