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有机/聚合物电致发光器件中层间的能带匹配对器件发光性质的影响 被引量:13
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作者 吴芳 田文晶 +2 位作者 马於光 沈家骢 倪燕如 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期158-163,共6页
对几种有机/聚合物电致发光材料的能带结构进行了表征,设计了几种结构的器件,并对它们进行了性质比较.结果表明,通过各种材料间合理的能带匹配,可以获得综合性能较好的电致发光器件.
关键词 有机/聚合物 电致发光器件 能带匹配 发光性质
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深能级及其在发光研究中的应用
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作者 高瑛 赵家龙 +3 位作者 刘学彦 苏锡安 粱家昌 胡恺生 《半导体杂志》 1995年第4期12-20,共9页
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱(DLTS)、光致发光(PL)、光电容(PC)及用它们研究不同发光材料和器件的结果.其中包括发光二极管的效率和退化过程、GaN材料中蓝色发光深中心、ZnS场致发光薄... 本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱(DLTS)、光致发光(PL)、光电容(PC)及用它们研究不同发光材料和器件的结果.其中包括发光二极管的效率和退化过程、GaN材料中蓝色发光深中心、ZnS场致发光薄膜的初始载流子源以及用MOCVD法生长Ⅲ-Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析,它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究,在不同的领域中所取得的进展。 展开更多
关键词 深能级 场致发光 薄膜材料
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有机EL新进展 被引量:1
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作者 李文连 《液晶与显示》 CAS CSCD 1997年第2期143-147,共5页
有机EL新进展李文连(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(接上期)第八章有机EL在背照明及显示器方面的应用前景随着信息化社会个人计算机的普及,作为人机相联的显示技术日益重要起来。目前急需一种节能、小型化的... 有机EL新进展李文连(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(接上期)第八章有机EL在背照明及显示器方面的应用前景随着信息化社会个人计算机的普及,作为人机相联的显示技术日益重要起来。目前急需一种节能、小型化的平板显示技术取代CRT。众所周知,... 展开更多
关键词 发光学 有机电致发光 电致发光器件 EL
全文增补中
电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化 被引量:17
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作者 傅柔励 叶红娟 +4 位作者 李蕾 傅荣堂 缪健 孙鑫 张志林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期94-101,共8页
用同时计入电场、对称破缺项te和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移,出现极化.极化程度随场强增加,也与te有关.并发现te≤0.1eV时... 用同时计入电场、对称破缺项te和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移,出现极化.极化程度随场强增加,也与te有关.并发现te≤0.1eV时,双激子态表现出反向极化特性,这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解:对高分子的自陷束缚激子,其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态,用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化;双激子态即上定域态被占而下定域态空着,当te不大时,双激子态的极化就是反向的. 展开更多
关键词 电致发光器件 电场 高分子 自陷束缚 激子 极化
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无机材料的薄膜电致发光 被引量:1
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作者 赵丽娟 张光寅 钟国柱 《物理》 CAS 1999年第7期398-403,共6页
平板显示技术是信息时代对终端显示的基本要求,薄膜电致发光显示器具有全固体化平板显示的特点,是一种全新的终端显示器件.文章扼要介绍了薄膜电致发光原理,综述了电致发光材料尤其是蓝色和白色发光材料的研究进展,指出了目前存在... 平板显示技术是信息时代对终端显示的基本要求,薄膜电致发光显示器具有全固体化平板显示的特点,是一种全新的终端显示器件.文章扼要介绍了薄膜电致发光原理,综述了电致发光材料尤其是蓝色和白色发光材料的研究进展,指出了目前存在的问题和解决方案。 展开更多
关键词 薄膜 电致发光 彩色化 平板显示器 原理
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电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率 被引量:9
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作者 娄志东 徐征 +3 位作者 徐春祥 于磊 滕枫 徐叙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期139-145,共7页
根据非晶态半导体的能带理论,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明:在高电场下,由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导... 根据非晶态半导体的能带理论,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明:在高电场下,由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中,电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导;而在导带扩展态中,电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外,以实验数据为基础,计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度. 展开更多
关键词 电子输运 二氧化硅 电致发光 加速层 高电场
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