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图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究 被引量：2
1
作者 司俊杰 杨沁清 +4 位作者 高俊华 滕达 王启明 郭丽伟 周均铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期353-357,共5页
本文研究了在Ｓｉ的图形衬底上生长应变ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格的结构和其光致发光性质．图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成．发现在组成倒金字塔结构的（１１１）面的交界处有富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线出现．对相同条件下图形衬底和平... 本文研究了在Ｓｉ的图形衬底上生长应变ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格的结构和其光致发光性质．图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成．发现在组成倒金字塔结构的（１１１）面的交界处有富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线出现．对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变ＳｉＧｅ层的光致发光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了５．２倍．认为这种提高同富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线的产生相关． 展开更多
关键词 锗化硅 硅 图形衬底 结构 光致发光
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