离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

报道了用离子注入方法和组合技术制备的 Al Ga As/Ga As单量子阱多波长发光集成芯片 ,利用量子阱界面混合原理在同一块 Ga As衬底片上获得了 2 0多个发光波长从 787～ 72 4nm的 Ga As量子阱发光单元 ,研究了不同剂量的 As和 H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响 ,采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程 ,这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义 .

快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到Ｍｇ

氮化铝薄膜及其掺锰的光致发光

用射频磁控反应溅射的方法，以 Ａｌ及 Ａｌ＋ Ｍｎ Ｆ２ 为靶材，石英玻璃为衬底，在不同的射频功率下，制备了 Ａｌ Ｎ 多晶态和非晶态两类薄膜。发现非晶态薄膜吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动２０ｎｍ 。对于非晶态薄膜，通过喇曼光谱的分析，得到了 Ａｌ Ｎ 薄膜的特征声子能量的信息。首次用金属 Ａｌ和块状 Ｍｎ Ｆ２ 共溅射的方法，制备了 Ａｌ Ｎ： Ｍｎ Ｆ２ 薄膜，在退火后的多晶态样品中，测得了 Ｍｎ 的特征光致发光。