复合型钹式执行器的高位移性能研究

本文研究了复合型钹式执行器的位移放大作用，以及对它的整体等效压电常数的影响，这种执行器的位移值（Ｓ）、等效等静压压电常数（ｄｈ）和等效等静压灵敏度（ｄｈ × ｇｈ）与同尺寸单体压电陶片（ＰＺＴ－５Ａ）工作时的对应值，分别高出近４０倍、８０倍和４００倍，并与压电陶瓷片的厚有关联。

铁电存储单元的设计和测试

基于被应用于实际设计之中的统一的铁电器件模型，详细讨论了２Ｔ２Ｃ组态的铁电破坏性读出存储器单元的设计。在此基础上，设计和制造了分立元件的单元测试电路。通过与普通电容的对比实验，证实了铁电破坏性读出随机读取存储器与普通随机读取存储器不同的工作原理和模式。进而获得了被测ＦＲＡＭ单元的特性波形和铁电材料存储特性的有关数据。这些工作为进一步进行大规模铁电存储器的研究作了准备。