Si_(1-x)Ge_x材料和双极型器件的进展

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料具有许多优良的性质，高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到Ⅳ族器件之中。外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ基区的异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）获得了优良的性能，并且，其具有可以同硅工艺兼容的优点，把Ｓｉ１－ｘＧｅｘ同Ｓｉ集成的ＢｉＣＭＯＳ工艺取得了很大的发展，已经达到了工业应用的水平。Ｓｉ１－ｘＧｅｘ工艺的发展，电路速度的提高，也促进了微波集成电路的进步，提高了ＳｉＭＭＩＣ的应用频段。从目前的发展现状来看，已经达到了在射频（ＲＦ）通信中广泛应用的阶段。

微波晶体管的自动测试

本文在 HP8409微波网络分析仪上完成了微波晶体管的自动测试。针对缺少微带标准件的情况,研究分析空气微带延时线,从理论上证明了用空气微带线作为标准件的可行性,并修正了测试系统的十二项误差和夹具误差。