双极型微波器件失效分析与改进

针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理为发射区处Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，Ａｌ离子进入发射区。将新型金属化系统Ａｌ／ＴＩＮ／Ｔｉ用于实际器件，ＴｉＮ有效地阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，其ＥＢ结特性明显改善，成品率和可靠性显著提高。

基于快速模拟退火算法的GaAsMESFET等效电路参数

本文将改进的快速模拟退火算法用于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ等效电路参数提取，较好地解决了宽带微波半导体器件等效电路建模难题。

微小型陶瓷管壳新工艺

采用超细９５％Ａｌ２Ｏ３粉料、高温烧结、陶瓷激光精密加工工艺制成的管壳，可满足毫米波器件的封装要求。