微波GaAs金属－半导体场效应管可靠性研究的进展

综述了近年来微波ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ可靠性的研究进展。重点介绍了影响其可靠性的因素如栅肖特基结和源／漏欧姆结的相互扩散及表面效应等。

P波段功率管的射频脉冲加速寿命试验

概述了Ｐ波段功率管在射频脉冲条件下进行加速寿命试验的方法，对Ｐ波段功率管可靠性进行了初步预测，并分析了器件失效的原因。

微波功率GaAs MESFET的可靠性

本文介绍了功率GaAs MESFET的主要失效模式和失效机理.主要失效模式有突然烧毁致命失效、缓慢退化失效、击穿低漏电大失效、内外引线和热集中失效、器件性能的不稳定和可逆漂移.主要失效机理有结构设计不合理,材料和工艺缺陷,栅结、欧姆接触和材料退化,静电损伤等.提出了改进功率GaAs MESFETS可靠性的主要措施:全面质量管理,运用可靠性增长管理技术,合理的设计方案,先进的设备和工艺,优质的材料和管壳,严格的防静电措施及合理的筛选条件等.

金锡烧结的研究和应用提高了GaAs MESFET的可靠性

通过反复研究和不断摸索我们实验成功金锡烧结工艺.该工艺应用在GaAs MESFET的研制和生产过程中,明显地提高了产品的可靠性.